装饰装修引起的民用建筑室内环境污染源探析及防治工程措施

由装饰装修引起的民用建筑室内环境污染已引起人们的广泛关注,由此而造成的后果,给建筑装饰装修业蒙上了一层阴影,也给广大消费者造成了极大的思想压力,同时也引起了国家及相关部门的高度重视。本文就国家标准《民用建筑工程室内环境污染控制规范》(GB50325-2001)控制的室内污染物的来源及危害作了分析与探讨,并为由装饰装修引起的室内环境污染物的控制提出了设计、施工等工程防治措施。

藻井式发光玻璃天棚施工技术

建筑装饰施工技术的应用,应充分考虑装饰物的装饰效果及施工、使用和维护的安全。本文介绍的实例,施工技术人员在充分考虑设计效果、材料供应、工期要求、施工技术、使用和维护安全等诸方面因素。在征得设计人员和建设单位同意后,提出了设计方案修改,并制定了合理的施工方案。施工进展顺利,保证了工期和工程质量,赢得了较好的工程效益。

一维光子晶体中自发辐射的非马尔科夫过程

本文利用一维有限光子晶体的模函数展开场算符，确定光与物质相互作用的Hamilton量，从而得到两能级原子自发辐射衰减的动力学方程。未借助马尔科夫近似，我们用数值计算的方法直接求解了原子与场随时间演化的动力学方程，发现在自发辐射过程的最初几个光学周期的时间内，自发衰减速率随时间的变化存在一系列脉冲形状的峰。由于作用于原子的场是一维光子晶体中历经多重反射的场的相干迭加的结果，原子的衰减行为敏感地依赖于多重反射场在原子所在位置的干涉。这种干涉性质依赖于光子晶体的结构。改变光子晶体的结构，使原子的跃迁频率位于光子晶体的禁带中、导带中或缺陷模频率处，可使原子的自发辐射得到抑制或增强。

包含缺陷的一维光子晶体的多通道滤波与宽带滤波

计算了包含多个缺陷的一维光子晶体的透射谱。在层厚为1/4波长的周期性光子晶体中加入多个半波缺陷后,将在截止带中形成多个缺陷模。在缺陷模频率处存在尖锐的共振透射峰。透射峰频率依赖于缺陷层的位置。当缺陷层之间的距离较近时,缺陷模频率相隔较远,这种结构可用于多通道滤波。当缺陷层之间的距离较远时,缺陷模频率相隔较近,此时多个透射峰交迭形成较宽的通带,这种结构可用于宽带滤波。

240mm厚混凝土小砌块砌体房屋设计技术

介绍了利用新型砌块２４０ｍｍ厚混凝土小型空心砌块建造承重墙或作为多层房层外墙时，有关砌体设计和构造建设的技术和要求。最新提出了在Ｕ型砌块内放置水平钢筋现浇混凝土以形成墙内钢筋混凝土水平浇带的技术设想。

一种新型光子晶体波导定向耦合型超微偏振光分束器

将两个二维空气孔光子晶体波导平行放置,两波导之间由三排空气孔相隔,构成一个定向耦合器.数值分析了TE(磁场平行于空气孔)和TM(电场平行于空气孔)偏振态光波在该定向耦合器中的传播行为.结果表明,减小耦合区两波导间的一排介质柱的半径,TE模的耦合长度减小,而TM模的耦合长度不变.基于此结构,设计了超微偏振光分束器,整个器件的尺寸为10.1μm,与已报道的24.2μm的结果相比,该器件具有更小的器件尺寸和更高的输出效率.

GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱

采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga

一维光子晶体中多缺陷耦合导致的杂质带

利用传输矩阵方法研究了包含多个周期性分布的缺陷的一维光子晶体的透射谱 以 33个周期的 1/ 4波堆存在 5个缺陷的光子晶体为例作了数值计算 结果表明 ,在周期性光子晶体中加入多个缺陷时 ,将在截止带中产生多个缺陷模 这些缺陷模构成的杂质能带依赖于缺陷在晶体中的分布 当缺陷密集时 ,缺陷模耦合较强 ,杂质带中透射峰相距较远 ,它们对应禁带中许多分立定域的杂质能级 ;当缺陷稀疏时 ,缺陷模耦合较弱 ,透射峰相距较近 ,分立的杂质能级趋于简并 。

在我国申请的无取向电工钢专利技术的分析

1985年至2005年,在我国申请的无取向电工钢专利中,国外厂家有44件,主要为JFE和新日铁;国内厂家有48件,主要为宝钢和武钢。国外厂家申请的电工钢专利技术领域主要为高效化和涂层技术;国内厂家主要为轧制工艺和涂层技术。无取向电工钢的典型专利技术:有高效化,薄带连铸、涂层、加工工艺和半工艺产品;无取向电工钢发展趋势为产品高效化和特殊用途产品。

分形艺术图案在装饰设计中的应用

提出了将分形引入装饰设计的思路。应用保守系统准规则斑图来创作装饰艺术作品 ,并进行了成功的尝试。利用可视化语言编制了分形艺术图的计算机生成程序 ,提供了几幅构图新颖的分形图案。

一维Kerr非线性光子晶体中的场分布

研究具有Kerr非线性的一维光子晶体中场的分布 .计算光子晶体中加入Kerr非线性材料后 ,入射光强对光子晶体中场分布极大值位置的调制 ,发现随着光强的增加 ,峰值位置向入射端移动 .同时 ,由于非线性的作用 ,随着光强的变化 ,线性光量子阱中的电磁本征模将进入线性带隙 ,带隙中将出现没有线性本征模对应项的新孤子类电磁模 .

一维有限超晶格的电子态与透射问题的转移矩阵方法研究

采用转移矩阵方法 ,研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题。计算了一维有限超晶格含单个缺陷层或少量缺陷层的透射谱和波函数 ,以及当电子被束缚在一维有限超晶格中电子的本征值和相应的定态本征函数。给出的方法对于研究电子通过任意排列的一维有限超晶格的输运具有普适性。

含Kerr非线性的一维光子晶体中的类孤子

研究了含Kerr非线性的一维光子晶体中的类孤子。计算了光子晶体中加入Kerr非线性材料后,类孤子和入射光强、Kerr系数以及线性势阱的关系。随着线性势阱的降低,对应于在线性带隙中开始出现类孤子本征模所需要的最小入射强度也降低,即降低了非线性阈值;尽管非线性是产生类孤子的根本原因,但非线性系数对产生类孤子及孤子环中环的影响不如线性势阱高度的影响显著。

吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带输运性质的影响

本文基于第一性原理研究了单个氢原子吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带电子输运性质的影响。研究发现,吸附缺陷使armchair型石墨烯纳米条带在费米面附近的导电性有所降低,但透射能隙依然存在。缺陷对透射抑制的强弱与其吸附位置有关。在完整石墨烯纳米条带的布洛赫波函数分布几率较大处引入缺陷对电子输运的阻碍作用较大。对于布洛赫波函数分布相同的情况,吸附位置越靠近石墨烯纳米条带中心,则对电子输运的阻碍作用越大。

一维光子晶体中两缺陷间的相互作用

利用传输矩阵的方法 ,计算了电磁波通过一维光子晶体的透射系数、反射系数和场分布。当在周期性光子晶体中引入多个缺陷时 ,将在截止带中形成多个缺陷模。在缺陷模频率处存在尖锐的共振透射峰 ,透射峰频率依赖于缺陷层在晶体中的位置。在缺陷层或缺陷层周围形成局域化的场。讨论了当在晶体中引入两个缺陷层 ,这两个缺陷层之间的距离发生变化时引起透射谱的变化情况以及缺陷模的场的分布。当缺陷层相距较近时 ,在两缺陷间存在相互作用 ,而且缺陷层相距越近 ,相互作用强度越强 ;这种作用与缺陷本身 (大小和其折射率 )

含负折射率材料的一维光子晶体的光学传输特性

采用光学传输矩阵方法,模拟研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体的光学传输特性。计算了这种含负折射率材料的一维光子晶体的透射谱和色散关系。结果表明,在正入射时,含负折射率材料的光子晶体的带隙要比传统的光子晶体要大得多,并具有狭窄的透射带,从光学薄膜理论的色散关系出发解释了形成上述现象的原因。讨论了在不同的偏振模式下,光以中心波长入射时,反射率随着入射角度的变化关系。发现含负折射率材料的一维光子晶体具有更好的角度特性,可以用来实现对中心波长的全方位反射。

含负折射率材料的Thue-Morse序列结构的光学透射谱

讨论了由正折射率材料和具有色散的负折射率材料构成的ThueMorse序列结构的透射谱,用传输矩阵元的递推关系式计算透射率.数值计算结果表明,这种系统存在一个n=0带隙,它与Bragg带隙相比,对入射角变化和电场偏振方向的变化更不敏感.此外,带隙的位置不随序列阶数的不同而变化.同时,对TM序列结构完全透射态的场分布进行了研究,发现光强的分布具有与晶格结构相似的分布.

掺杂对锯齿形(Zigzag)石墨烯纳米带输运性质的影响

基于第一性原理计算,研究了掺杂对锯齿形石墨烯纳米带电子输运性质的影响。研究发现,掺杂原子种类、掺杂位置的不同将对电子输运产生极大的影响。当中间散射区域的中心C原子被B杂质原子代替时,在电子输运谱的费米能级以下会出现一个零透射的波谷,而另一侧则不变;当带中心杂质为N原子时情况正好相反。零透射波谷的出现意味着有带隙产生,即发生了从金属到半导体的转变。当杂质原子从中心位置移到带边缘时,波谷将移到费米能级的另一侧,从而引起从受主到施主特征的转变,这是杂质原子的束缚态与边缘态相互作用的结果。

含负折射率缺陷的一维光子晶体的杂质带

利用传输矩阵方法研究了含负折射率缺陷的一维光子晶体的透射谱.以19个周期的1/4波堆存在3个负折射率缺陷的光子晶体为例进行了数值计算.结果表明:如果改变缺陷的折射率,缺陷模之间的耦合作用将发生改变,带隙中形成的杂质带也随之改变;当这个折射率取适当值时,在禁带中出现多个尖锐的透射峰,与正折射率缺陷构成的杂质带不同.

含有多缺陷的一维光子晶体的完全透射及应用

计算了具有多缺陷且相对中间缺陷具有镜像对称结构的一维光子晶体的透射谱。在光子晶体的禁带中得到了多个完全透射峰且对称性地分布于禁带中心频率两侧。缺陷相距较近时,禁带中心不存在透射峰。所有透射峰都敏感地依赖于中间缺陷的折射率。