电子碰撞Ag的L壳层电离截面的测量

作者用Si(Li)探测器测量了能量为 5～ 2 2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面 ;用MonteCarlo方法计算的电子反射能谱 ,修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响 作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较 .

用增强质子背散射研究注氦纳米晶钛膜中氦的含量

作者使用增强质子背散射方法,分析了几种Mo基体纳米钛膜中氦的保持量情况.结果表明:采用离子注入法注入的氦在纳米钛膜中能保存较长的时间,氦的释放速率受氦在钛膜及基体中的分布、钛膜中氦浓度大小的影响;Ar,He混合气体放电法工作参数的选择可影响渗氦的效率.

原子内壳层电离截面研究中薄靶厚度的卢瑟福背散射分析

作者使用241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法,对四川大学原子核科学技术研究所的2.5MeV静电加速器进行了能量刻度,并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列Al衬底金属薄靶的厚度,所测结果与称重法进行了比较.作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中,取得了满意的结果.

多道脉冲幅度分析器死时间的数字测量

核物理实验中的能谱测量,一般要用多道脉冲幅度分析器,由于这种分析器中的模数变换器(ADC)及主机或计算机的存储器对输入信号的模数变换有一定的死时间,即在分析第一个信号的过程中,如有第二个脉冲到来,多道将不予记录,从而产生漏计数。显然,放射性越强,输入信号就越多,这种漏计现象就越严重,死时间也就越大。此种情况下,对测量数据必须作“死时间”的修正,以确保测量结果的准确可靠。因此,在放射性特别是在强放射性的能谱测量中,比较准确的测出多道分析器的死时间。

另一种多道脉冲幅度分析器死时间的数字测量方法

本文描述了一种多道分析器死时间的数字测量方法，与另一种类似的测量方法作了详细的比较，实践表明，它是一种更简单适用的方法。

Si(Li)探测器低能区的效率刻度

通过测量19 keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱,在低能区(>1 keV)对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐射能谱由Monte-Carlo程序PENELOPE计算,并用241Am标准放射源确定出效率刻度曲线的绝对值。采用本工作的刻度方法确定的效率刻度曲线误差主要来源于用标准放射源绝对化的误差,约为5%。将所得初步实验结果与理论计算值进行了比较,并采用最小二乘法对探测器各厚度参数进行了拟合,除Au接触层厚度外,拟合的各厚度值与探测器生产商提供的数据较为吻合。

电子原子碰撞K壳层电离截面研究(英文)

近年来,研究组发展了一套利用厚衬底薄靶测量电子原子碰撞内壳层电离截面的方法.该方法具有避免制作自支撑薄靶困难的优点.最近,又采取了一些措施来提高该方法测量数据的精度.首先评述了近年来该领域的一些研究进展,并通过测量Cr元素在小于26keV能量范围K壳层电离截面的例子介绍了研究组的实验方法.同时,也对8种低Z元素和16种中、高Z元素在keV能区的实验数据和理论模型、经验公式进行了比较,并对目前电子原子碰撞K壳层电离截面的实验测量和理论研究的现状及需进一步开展的工作进行了讨论.

^（152）Sm的22－1019keV能区中子俘获截面的测量

在４．５ＭｅＶ静电加速器上．利用７Ｌｉ（ｐ，ｎ）７Ｂｅ和Ｔ（ｐ．ｎ）３Ｈｅ反应作为中子源，在２２－１０１９ｋｅＶ中子能区以（１９７）Ａｕ的中子俘获截面为标准，用活化法测量了（１５２）Ｓｍ的中子俘获截面．其误差小于６．８％。

低本底高分辨γ能谱获取与分析系统

我们从1984年开始筹建、研制组装,到1999年建成了一个成本低廉实用的基於紫金Ⅱ微机的低本底高分辨γ能谱获取与分析系统,研制工作包括屏蔽效果良好的铅屏蔽室、基于紫金Ⅱ的微机多道系统及其软件、定时器和死时间的数字测量等部份。利用该系统,完成了带电粒子活化反应截面和中子俘获截面的γ能谱测量工作,也满足了本所回旋加速器生产的多种同位素进行质量监控的要求。同时还用薄层活化法对航空轴承的磨损量进行了测量。全部工作均取得较好结果。

非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究

用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10％,探测深度为～5000.

22MeV质子在^(13)C上弹性及非弹性散射微分截面的全微观分析

作者在9°～130°散射角范围,测量了22MeV质子在12C,13C上的弹性散射微分截面以及在13C核1/2+(3.09MeV),3/2-(3.68MeV)和5/2+(3.85MeV)激发态上的非弹性散射微分截面.对12C,13C弹性散射微分截面进行了微观光学势分析,计算结果能较好地描述实验数据.采用全微观扭曲波玻恩近似(DWBA)理论对非弹性散射实验数据进行了分析.通过小角区实验数据与理论计算结果的比较,进一步证实了13C的1/2+(3.09MeV)激发态存在中子晕结构.根据13C核1/2+(3.09MeV)激发态的其它实验结果,对1/2+(3.09MeV)态的壳模型单体密度矩阵元(OBDME)进行了修正.修正后的壳模型OBDME能较好地描述从电子散射实验得到的1/2+(3.09MeV)态的纵向和横向形状因子(formfactor)以及547MeV质子非弹性散射微分截面.另外,作者在1/2+(3.09MeV)态的质子非弹性散射实验中观察到微分截面位于120°附近的一个宽峰,该峰可能与核的π场效应(pionfieldeffect)有关.全微观DWBA计算结果大体上能给出3/2-(3.68MeV)和5/2+(3.85MeV)激发态实验数据的幅度大小,但对细节的描述还不能令人满意.作者的研究还表明了对13C核作仔细的大规模壳模型计算以及基于现代核子 核子力构造低能区密度依赖的完整的有效相互作用的必要性.

^(107)Ag(d,2n)^(107)Cd和^(109)Ag(d,2n)^(109)Cd反应的激发函数

用13.4MeV的氘束轰击天然银迭靶,银箔前后用铝箔作捕集减能膜。实验确定了^(107)Ag(d,2n)^(107)Cd和^(109)Ag(d,2n)^(109)Cd反应的激发函数,同时作了理论计算。由结果可见,实验值与理论值吻合得很好。

9—46keV电子引起的Ni的K壳层电离截面

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量薄Ｎｉ靶在９—４６ＫｃＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。测量结果与前人的实验和理论计算以及经验公式的计算结果作了比较。

一种新的核子核子有效相互作用的检验

利用低能区（不大于８０ＭｅＶ）中的１２Ｃ（ｐ，ｐ′），１２Ｃ（ｐ，ｎ）及４０Ｃａ（ｐ，ｐ′）实验数据，在ＤＷＢＡ理论框架下，检验了由Ｈａｌｄｅｒｓｏｎ提出的一种新的低能区核子核子有效相互作用，分析了此种核子核子有效相互作用与Ｍ３Ｙ核子核子有效相互作用的相似性及其差异，并采用不同方法对其张量力成分进行了修正．

^（107）A（a，n）^（110）In^m，^（107）（a，2n）~（10

用能量为２６．８ＭｅＶ的ａ粒子轰击天然Ａｇ靶，采用迭靶技术测定了￣（１０７）Ａｇ（ａ，ｎ）￣（１１０）Ｉｎ￣ｍ，￣（１０７）Ａｇ（ａ，２ｎ）￣（１０９）Ｉｎ，￣（１０９）Ａｇ（ａ，ｐｎ）￣（１０９）Ｃｄ和￣（１０９）Ａｇ（ａ，２ｎ）￣（１１１）Ｉｎ反应的激发函数。同前人结果作了比较，并用激子模型作了理论计算。结果表明，在上述反应中存在平衡前发射反应机制。

10—25keV电子致厚W,Au靶韧致辐射谱的测量

测量了10—25 keV电子碰撞厚W,Au靶产生的韧致辐射谱,并与Monte Carlo程序PENELOPE模拟的X射线谱进行了比较,除在3 keV前实验谱略低于理论谱外,整体上两者符合得很好.在模拟电子与靶材料相互作用产生韧致辐射时,PENELOPE程序中只包含有普通韧制辐射的截面数据.实验结果表明,在电子与固体靶相互作用时,没有明显的极化韧致辐射产生,PENELOPE程序能够可靠地描述电子与固体厚靶相互作用产生的韧致辐射.

一个PIXE-RBS离子束分析系统的刻度

四川大学原子核科学技术研究所依托2.5 MeV范德格拉夫静电加速器搭建了质子诱发X射线荧光分析(Proton Induced X-ray Emission,PIXE)与卢瑟福背散射分析(Rutherford Backscattering Spectrometry,RBS)相结合的离子束分析系统,描述了该分析系统和刻度过程。通过10个金属单质的PIXE-RBS测量,刻度得到的仪器常数H值是一条随能量变化的曲线,然后采用最小二乘法拟合确定了X射线探测器前的Mylar膜有效厚度、选择性滤膜的有效厚度和中心小孔大小,从而得到H值。为了对刻度H值进行检验,在相同实验条件下测量了标准粘土样品元素成分,测量数据与证书数据符合得较好。刻度结果将用于以后的PIXE-RBS分析。

EPBS方法分析含氘/氚钛膜及与PVT法的比较

本文使用EPBS方法分析了含氚及含氘与氚钛膜样品中氚及氘的含量与深度分布,并将氚的分析结果与PVT方法所给出的结果进行了比较.实验所使用的Ti膜衬底是Mo,在EPBS能谱的低能端, Mo元素的模拟谱与实验谱偏差较大,会导致分析结果不准确.为消除EPBS实验谱中的Mo谱对分析的影响,本文使用了一个Mo衬底的TiH1.81样品成功扣除了EPBS实验谱中的Mo本底,扣除Mo本底后可以直接模拟样品中氘与氚的能谱,使得分析结果更为精确可靠.

9—28keV 电子引起的Cu的K壳层电子电离截面

用高分辨的Ｓｔ（Ｌｉ）探测器测量Ｃｕ靶在９—２８ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。运用用电子输运双群模型对衬底的反射对电离的贡献进行了修正。测量结果与前人的实验和经验公式计算结果作了比较。

D（Be）中子源能谱的测量

用阈探测器法测量了１．２ｍ回旋加速器１３．４ＭｅＶＤ（Ｂｅ）中子源在０°方向的能谱．考虑了各种修正，给出了能谱的误差，并用一已知激发函数的激活片Ａｕ算出其对所测中子能谱的比反应率，与测量的值进行了比较，两者在实验误差范围内一致．