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PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜
被引量:
5
1
作者
张蕾
方龙
+3 位作者
刘攀克
刘越彦
黎明锴
何云斌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期224-226,共3页
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在...
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量,并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al_2O_3(001)且ZnS(110)∥Al_2O_3(110)]。进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响,结果表明在沉积ZnS薄膜前先沉积一层ZnO薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性,其中在沉积时间为2min的ZnO缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好,其(002)面摇摆曲线半高宽为1.35°。本文结论对于研究ZnS薄膜制备光电器件具有重要的意义。
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关键词
脉冲激光沉积
ZNS薄膜
缓冲层
外延生长
晶体结构
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职称材料
Nb∶SrTiO_3单晶基片上外延生长BaTiO_3薄膜的漏电流机制分析
2
作者
潘瑞琨
刘攀克
+1 位作者
黎明锴
何云斌
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第18期1-4,8,共5页
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15nm厚度的BTO薄膜。并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证...
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15nm厚度的BTO薄膜。并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征。以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线。通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling)。分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制。
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关键词
BaTiO3薄膜
结构
漏电流机制
肖特基势垒
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职称材料
题名
PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜
被引量:
5
1
作者
张蕾
方龙
刘攀克
刘越彦
黎明锴
何云斌
机构
湖北大学材料科学与工程学院功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期224-226,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(51002049
61274010)
湖北省教育厅优秀中青年人才资助项目(Q20120104)
文摘
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量,并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al_2O_3(001)且ZnS(110)∥Al_2O_3(110)]。进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响,结果表明在沉积ZnS薄膜前先沉积一层ZnO薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性,其中在沉积时间为2min的ZnO缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好,其(002)面摇摆曲线半高宽为1.35°。本文结论对于研究ZnS薄膜制备光电器件具有重要的意义。
关键词
脉冲激光沉积
ZNS薄膜
缓冲层
外延生长
晶体结构
Keywords
pulsed laser deposition
ZnS thin film
buffer layer
epitaxial growth
crystal structure
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
Nb∶SrTiO_3单晶基片上外延生长BaTiO_3薄膜的漏电流机制分析
2
作者
潘瑞琨
刘攀克
黎明锴
何云斌
机构
湖北大学材料科学与工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第18期1-4,8,共5页
基金
国家自然科学基金(51272072
61274010)
文摘
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15nm厚度的BTO薄膜。并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征。以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线。通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling)。分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制。
关键词
BaTiO3薄膜
结构
漏电流机制
肖特基势垒
Keywords
BaTiO3 film, structure, leakage current, Schottky barrier
分类号
O484.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜
张蕾
方龙
刘攀克
刘越彦
黎明锴
何云斌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
下载PDF
职称材料
2
Nb∶SrTiO_3单晶基片上外延生长BaTiO_3薄膜的漏电流机制分析
潘瑞琨
刘攀克
黎明锴
何云斌
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
已选择
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