一步共烧法制备的异质MCT-NiZn复合基板

以Ni_(0.6)Zn_(0.4)Nd_(0.01)Sn_(0.01)Mn_(0.01)Fe_(1.95)O_(4)(NiZn)旋磁铁氧体材料为内芯、0.85(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_(3)-0.15Ca_(0.8)Sm_(0.4/3)TiO_(3)(MCT)微波陶瓷为外环,采用一步共烧法制备了环行器/隔离器用钛酸镁钙-镍锌MCT-NiZn异质复合基板。首先将NiZn粉料压制成圆柱体,作为复合基板的内芯;将MCT粉料压制成环形柱体,作为基板的外环,将内芯NiZn和外环MCT的生坯组装,并在特定温度下直接一步共烧,获得MCT-NiZn异质复合基板。研究了共烧温度对复合基板的相组成、微观组织、剪切强度的影响。此外,还研究了复合基板直接共烧结后过渡区的结构与性能。结果表明,NiZn-MCT复合基板之间发生了界面反应,在过渡区形成了新相Mg_(2)TiO_(4),复合基板的最佳共烧温度为1260℃。此外,复合材料具有高剪切强度,达到57.45 MPa。综上,采用一步共烧法制备MCT-NiZn复合基板是一种具有广阔应用前景的复合材料。

丙烯酸酯改性水性聚氨酯胶黏剂的制备及性能

以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、二羟甲基丙酸(DMPA)、聚酯二元醇(XH-111)、三羟甲基丙烷(TMP)、1,4-丁二醇(BDO)和丙烯酸羟乙酯(HEA)等为主要原料,制得HEA封端的水性聚氨酯乳液,再加入丙烯酸酯单体进行自由基引发聚合制备出丙烯酸酯改性的水性聚氨酯胶黏剂乳液。通过傅里叶红外光谱(FTIR)、热失重分析(TGA)对改性前后水性聚氨酯结构和胶膜热稳定性进行了分析,并考察了—COOH含量、聚丙烯酸酯(PA)含量和丙烯酸甲酯(MA)与丙烯酸丁酯(BA)质量比对胶黏剂耐水性、力学性能和粘接强度的影响。结果表明,当w(—COOH)为1.48%～1.50%、w(PA)为30%、m(MA):m(BA)为4:2时,改性水性聚氨酯胶黏剂的耐水性、耐热性和柔韧性优异,粘接强度可达5.9N/mm。

尼美舒利治疗前列腺痛160例

目的探讨尼美舒利治疗前列腺痛的疗效和安全性。方法前列腺痛280例,分为治疗组160例,给予尼美舒利分散片100 mg,b id,po;对照组120例给予α-受体阻滞药特拉唑嗪2 mg,qd,po。均治疗30 d。结果治疗组治疗15和30 d有效率分别为86.2%和98.8%,对照组分别为64.2%和84.2%,治疗组优于对照组。结论尼美舒利治疗前列腺痛疗效较好,不良反应较少。

PbTiO3-CoFe2O4复合薄膜的溶液法制备及其微观结构研究

以乙二醇甲醚为溶剂,采用溶液法成功制备了致密的、铁电相和铁磁相共存的0-3型磁电复合薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线能谱分析(EDAX)、压电响应力显微镜(PFM)分析了退火时间对两相结构、晶粒大小、薄膜形貌、电畴及磁畴的影响。结果表明,退火20 min对于PbTiO3相晶粒的生长已经足够,随着退火时间的延长,CoFe2O4相的晶粒逐渐长大,薄膜的均方根粗糙度有所提高;同时因为磁性相晶粒的长大复合薄膜电畴的取向发生了极大地变化。复合薄膜中同时存在的电畴和磁畴证明了其同时具有的铁电性和磁性。

铁电存储技术

简要说明了铁电随机存储器的工作原理及特点 ,详细阐述了阻碍铁电存储技术发展的技术难点 ,重点讨论了铁电薄膜材料的疲劳机理 。

外延生长四方相Pb(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3薄膜

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相。对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流。氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降。电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降。当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降。

铁电微管的制备与表征

采用化学浸润法在多孔硅模板上制备了锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)铁电微管,X射线衍射分析表明铁电微管为钙钛矿结构。运用扫描电子显微镜和原子力显微镜对铁电微管的微观形貌进行了观察,其结果显示两种方法所测得的铁电微管直径不同。利用压电响应力显微镜观察到了铁电微管的电畴图像,并测得了铁电微管的微区电滞回线。对铁电微管电畴和微区电性能的研究可为纳米结构铁电材料的新效应研究提供支持。

萘哌地尔(再畅)治疗慢性非细菌性前列腺炎120例疗效观察

目的探讨萘哌地尔(再畅)治疗慢性非细菌性前列腺炎的疗效和安全性。方法慢性非细菌性前列腺炎病人120例给予萘哌地尔(再畅)50mg,qd,疗程90天。结果治疗45天和90天总有效率84.2%、94.2%。结论萘哌地尔(再畅)治疗慢性非细菌性前列腺炎有效且副作用较少。

357例鼻腔鼻窦病变病理分析

1 临床资料1.1 发病概况 见表1。1.2 临床诊断资料1.2.1 症状 357例患者中,单侧进行性鼻塞占79.84%,涕血占38.10%,头痛占52%,失嗅占72%,面部蚁行感占4%,视力下降占17%,眼球移位占7%,发热占13%,张口受限占7.10%。1.2.2 体征 鼻腔内可见到肿物;恶性病变肿物表面不光...

有机硅/丙烯酸酯改性水性聚氨酯的合成及性能

以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、二羟甲基丙酸(DMPA)、聚酯二元醇(XH-111)、丙烯酸羟乙酯(HEA)和3-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-550)等为主要原料,分别制得HEA封端和HEA、KH-550共同封端的水性聚氨酯乳液,再加入丙烯酸酯单体进行自由基引发聚合,分别制备出丙烯酸酯改性和丙烯酸酯、KH-550共同改性的水性聚氨酯复合乳液。通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)、热失重分析(TGA)、X射线衍射分析(XRD)和力学性能测试,对改性水性聚氨酯乳液的结构和胶膜的热稳定性、结晶性和力学性能进行了考察。结果表明,改性水性聚氨酯的结晶性降低,热稳定性提高。当w(丙烯酸酯)增大到20%,w(KH-550)增大到15%时,胶膜的拉伸强度由5.6 MPa增加到23.9 MPa,断裂伸长率由491%降到247%。

PZT/LaNiO_3/MgO多层结构制备及性能研究

利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。

射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。

铁电薄膜漏电流研究现状

铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题。文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子电导、空间电荷限制电流(SCLC)、Pool-Frenkel发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、晶粒尺寸、电极材料、搀杂离子等。同时介绍了漏电流对铁电薄膜极化和抗疲劳特性的影响。

X-射线荧光光谱测定氧化铍中杂质元素

拟定了BeO中12种痕量杂质元素的X-射线荧光光谱测定方法．采用光谱纯试剂人工合成校准标样，粉末压块法制备分析样片。考虑到BeO对X射线的透明性，在样片与样品盒支架之间垫置钼片消除试样盒发射线的干扰并产生附加激发以提高灵敏度。本文分析结果与等离子发射光谱和原子吸收光谱对照相吻合。

原发性不孕症患者心理状态调查及分析

不孕症已被公认为典型的心身性疾病,它不仅是一个医学问题,也是精神心理健康问题[1]。不孕症可直接影响患者正常心理活动,产生焦虑、抑郁、担忧、自责及人格缺陷等精神情绪变化,对受孕有不利影响[2]。我们选取280例原发不孕症患者进行心理调查和分析，现将结果报道如下。

铁电存储器集成工艺中关键技术研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术。简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨论了相关工艺对性能的影响。

Sm_2O_3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响

为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm2O3掺杂的PMN陶瓷(PSMN)。研究了Sm2O3掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响。结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值εm及室温下的介质损耗减小,介频稳定性增强。相变弥散度则随x(Sm)的增加而增加。x(Sm)=0.01时,PSMN陶瓷的性能最佳:εm=15567,tanδ=0.127×10-2。