一个新的太阳电池显式模型以预测在任何太阳辐照度和温度时的I-V

采用求解满足实验结果的微分方程,建立一个三参数的显函数模型。经过22条实验数据的验证肯定该模型的正确性。更好的结果是该工作成功地发展出次级模型即模型参数同太阳辐照度及温度的定量关系,从而实现用太阳辐照度和温度预测太阳电池的I-V。

用PIXE-PIGE方法作多元素同时分析

在上海原子核研究所全自动PIXE分析装置的基础上,建立了PIXE-PIGE分析方法,使可同时分析的元素范围向低Z扩展,弥补了PIXE分析的缺陷。用内标法测定了部分生物标准参考物质和一些植物样品中部分元素的含量。

抗辐射加固与非加固工艺制备Si/SiO_2电离辐照的XPS深度剖析

采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电场相同条件下辐照,非加固样品的界面区比加固样品界面区宽;同一工艺生长的SiO_2,衬底杂质浓度低的样品其界面区窄于衬底杂质浓度高的样品;辐照样品的Si过渡态密度最高位滞后于未辐照样品的;同时,加固样品Si过渡态及剩余氧的密度最高位出现慢于非加固样品的;衬底杂质浓度高的样品其Si过渡态及剩余氧的密度最高位的出现快于衬底杂质浓度低的样品的;此外含剩余氧的过渡层要比含Si过渡态的过渡层薄。最后根据实验结果,对Si/SiO_2三层模型进行了修正。

电离辐照Si-SiO_2的电子能谱深度剖析

应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射的作用下向SiO_2表面方向展宽,界面中心向SiO_2表面方向移动。展宽与偏移的程度与辐照条件紧密相关。文中对实验结果以弱应力键断裂模型进行了分析。

新疆地区三种牧草的PIXE分析

本文应用质子激发X荧光(PIXE)分析技术分析了新疆羊主要食用的三种牧草。结果表明:低营养价值的牧草——芦苇在多种微量元素含量上均明显低于高营养价值的牧草——苜蓿和沙枣叶。根据分析结果提出了对新疆曾发生的羔羊摇背病可能病因的看法。

白癜风患者人发的源激发X荧光分析

本文用源激发x荧光分析技术,测定了白癜风患者的头发,维吾尔族人头发.分析结果表明白癜风患者头发中Ca、Sr、Zn的含量明显低于健康人,提示白癜风病与微量元素有某种相关性.维吾尔族人头发的微量元素谱不同于汉族人.

低能γ光子及X射线在透射金属箱方向激发的次级X射线

采用Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测系统，以透射法测量了２４１Ａｍ和２３８Ｐｕ放射源的低能γ光子和Ｘ射线在透过不同厚度的Ｆｅ和Ｃｕ箔时激发的次级Ｘ射线相对强度的变化。实验结果表明：激发产生的Ｘ射线相对强度在实验样品厚度范围内随箔厚的增加而增加；在高原子序数材料中将产生更多的特征Ｘ射线；各次级Ｘ射线的强度与箔厚形成方式以及激发源的活度、能量有关。最后对实验结果的物理机制进行了初步探讨。

五种维药的质子激发X荧光(PIXE)分析

选择驱虫斑鸠菊籽、复方家黑种草籽散、补骨脂、白蒺藜及天山雪莲五种维药进行质子激发X荧光(PIXE)分析,初步探索这些维药的微量元素状况。一、样品制备对经清洗、研磨均匀的维药,称取每种约0.2g(平行四份),置于干净瓷坩埚中,向坩埚加4ml硝酸(GR),静置48h,在电热板上从80～100V电热硝化;将硝化后的样品放入马佛炉中300℃炭化2h,500℃灰化8h,最后以2ml硝酸、0.5ml分析纯高氯酸消化样品;向制备好的样品加内标制成PIXE用靶样。二、PIXE分析在上海原子核研究所的全自动PIXE分析系统中进行分析。3.5MeV能量的质子束经1mg/cm^2的铝箔散射均匀后,以3.0MeV能量打在待测靶上,束流约5nA,轰击时间1200s。将所得的PIXE能谱用AXIL程序处理后经统计分析得表1、表2。

Si-SiO_2及其在电离辐照下的等离激元

用ＸＰＳ分析技术对抗辐射加固与非加固的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了电离辐照前后Ｓｉ的一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１１６．９５ｅＶ）及ＳｉＯ２一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１２２．０ｅＶ）的研究。实验结果表明：存在一个由这两种等离激元组成的界面，在电离辐射的作用下，此界面区向ＳｉＯ２表面方向展宽，界面中心向ＳｉＯ２表面方向移动；两种Ｓｉ－ＳｉＯ２界面区中的ＳｉＯ２一级等离激元的浓度在正电场中辐照均随辐照剂量的增加而增加，而非加固样品中一级等离激元浓度在正电场中随辐照剂量的变化所产生的变动快于加固样品；在同一辐照剂量下加正电样品中等离激元浓度的变化远明显于不加电样品。

更精确地利用光谱自然确定禁带宽度

以建立在能量守恒定律得到的塔克(Tauc)关系为出发点,推算出一个三参数方程用来以光谱实验数据获得更加精确和可靠的材料的禁带宽度。禁带宽度Eg、材料性质指数n及取决于跃迁种类的常量A自然而然地以参数形式出现在这个参数方程中。于是当对实验数据进行最小二乘方非线性拟合后,就能得到表征材料特性的关键指标禁带宽度Eg、材料性质指数n和取决于跃迁种类的常量A的最佳值。应用结果表明该方法能够非常精确、方便、快速地获取材料的禁带知识,很有可能是一种在半导体材料研究方面得以应用的好方式。

不同偏置条件下Si—SiO_2界面电离辐照的XPS研究

应用灵敏的表面分析技术XPS(x射线光电子能谱)对不同偏置条件下γ射线辐照的Si-SiO_2界面进行断层分析表明,SiO_2态下硅的2p结合能信号强度随辐照剂量的增加而减少,谱峰半宽则增加;且在正偏电场下辐照样品的信号强度明显低于未辐照样品及在负偏电场下辐照的样品,而谱峰半宽情形则相反。文中以应力键梯度模型为基础对实验结果作了解释。

X射线及低能γ光子在金属箔透射面的光致电子发射产额

采用改进的密立根光电流测量法，在透射方向测量了２４１Ａｍ放射源的Ｘ射线及低能γ光子在透过不同厚度的Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ及Ｗ箔时光致电子发射的产额。结果表明：光致电子发射崐产额在样品厚度范围内随箔厚的增加而减少；在高原子序数材料中将产生更多的光致电子发崐射。提出了“射程层贡献”模型，以该模型为基础建立的计算方法所得结果与实验值间相对误差崐平均约为１０％。

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。

用XPS研究^(60)Co对抗辐射加固和非加固Si-SiO_2的影响

对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO_2系统进行了^(60)Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO_2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强烈的依赖关系,而加固样品的XPS谱随辐照条件的变化产生较小的变动。两类Si-SiO_2的XPS谱均显示出辐照剂量对样品的损伤作用大于辐照偏置电场。文中根据辐射在SiO_2-Si中产生电子-空穴对的观点,就实验现象进行了机制分析。

掺硼和掺磷硅衬底生长SiO_2膜及其电离辐照效应的XPS研究

用ＸＰＳ对在掺硼和掺磷硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了６０Ｃｏ辐照前后的界面成分分析．结果表明，同一氧化工艺在两种硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２，在γ辐照前后其硅的二氧化硅芯态能级谱、Ｓｉ过渡态芯态能级谱及剩余氧态谱均有较大差异；其中，杂质硼比磷对体系在辐照前后的ＸＰＳ谱的影响更大。四种Ｓｉ－ＳｉＯ２的ＸＰＳ分析显示出衬底杂质与氧化工艺在ＳｉＯ２形成过程中具有等同的质量控制作用．根据硼、磷的原子基态时的电子组态及扩散性质的差异对实验结果进行了机制分析．

金属表面结构的变角XPS特征

采用仅改变阳极高压以获得不同激发光子流强的变角Ｘ光激发电子能谱（ＸＰＳ），研究Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ及Ｗ中光电子峰的表面结构效应。实验结果表明，在面心立方的Ａｌ及体心立方的Ｔａ和Ｗ中均显示表面结构产生的衍射效应，而在Ｆｅ和Ｃｕ中未出现表面结构效应；所出现表面结构效应的差异与阳极高压及光子流的能量有紧密的关系。同时，在实验高压范围内存在一个产生表面结构效应的阳极电压阈值。文中就观察到的表面结构效应之差异的可能机制进行了初步探讨。

经软X射线辐照的InP的表面损伤态

采用Ｘ光激发光电子能谱（ＸＰＳ）对经同步辐射软Ｘ光辐照的ＩｎＰ表面进行了分析。实验结果表明：ＩｎＰ表面辐照损伤与辐照Ｘ光的能量及剂量有关，尤其是具有近Ｐ原子Ｋ壳层共振吸收能量的软Ｘ光辐照与其它Ｘ射线辐照相比，其结果有所不同。文中就实验结果的机制进行了初步探讨。

能损法测平均电离激发能

采用电子透过金属箔后的最可几能损测量法，由兰多公式经实验反推Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ及Ｔａ平均电离激发能之实验值。所得结果与已有文献值比较有很好的一致性。实验结果表明这是一种测平均电离激发能的简便、易行且具有较高准确性的方法。

不同工艺生成的Si—SiO_2经电离辐照的电子自旋共振研究

采用电子自族共振（ＥＳＲ）分析技术，较系统地研究了Ｓｉ－ＳｉＯ２体系中点缺陷Ｐｂ和Ｅ＇随氧化工艺、６０Ｃｏγ射线辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。实验结果表明：两类Ｓｉ／ＳｉＯ２样品在γ辐照前后均能观察到Ｐｂ缺陷，且γ辐照在Ｓｉ－ＳｉＯ２中产生更多的Ｐｂ缺陷；第一类样品在正电场下辐照将产生Ｅ＇缺陷，在自由场下辐照剂量达５×１０４Ｇｙ（Ｓｉ）时才能观察到Ｅ＇缺陷；在辐照后的第二类样品中无Ｅ＇信号出现；此外，Ｐｂ和Ｅ＇的ＥＳＲ谱形半宽（ΔＨ）表明Ｐｂ为慢弛豫缺陷，Ｅ＇则为快弛豫缺陷。最后，对实验结果的机制进行了探讨。

XPS深度剖析的表征

本文基于XPS深度剖析的实验结果,提出了两种不依赖于XPS谱议灵敏度因子的XPS深度剖析实验结果的表征方法,并将此二法与其它三种XPS深度剖析表征法进行了比较。