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化学机械抛光中的颗粒技术 被引量:2
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作者 Kalyan S. Gokhale Brij M. Moudgil +1 位作者 涂佃柳(译 刘晓斌(译) 《电子工业专用设备》 2011年第2期1-7,共7页
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实... 多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实现晶圆抛光。除了研浆本身的化学性质外,研浆的效果也受研磨颗粒性质的影响。如果我们能够更好的理解研磨颗粒的特性和颗粒研磨机制,将会有助于提高化学机械抛光效果。本文主要讨论了颗粒形成、研浆稳定性、颗粒润滑以及化学机械抛光中颗粒设计中的最新进展。 展开更多
关键词 CMP 多层金属化 研磨颗粒 设计
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