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化学机械抛光中的颗粒技术
被引量:
2
1
作者
Kalyan S. Gokhale
Brij M. Moudgil
+1 位作者
涂佃柳
(译
)
刘晓斌(译)
《电子工业专用设备》
2011年第2期1-7,共7页
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实...
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实现晶圆抛光。除了研浆本身的化学性质外,研浆的效果也受研磨颗粒性质的影响。如果我们能够更好的理解研磨颗粒的特性和颗粒研磨机制,将会有助于提高化学机械抛光效果。本文主要讨论了颗粒形成、研浆稳定性、颗粒润滑以及化学机械抛光中颗粒设计中的最新进展。
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关键词
CMP
多层金属化
研磨颗粒
设计
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职称材料
题名
化学机械抛光中的颗粒技术
被引量:
2
1
作者
Kalyan S. Gokhale
Brij M. Moudgil
涂佃柳
(译
)
刘晓斌(译)
机构
Department of Materials Science and Engineering and Particle Engineering Research Center
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2011年第2期1-7,共7页
基金
佛罗里达大学微粒研究中心
国家科学基金EEC-94-02989
+1 种基金
国家卫生研究所基金P20RR020654
微粒研究中心的合作伙伴的资助.
文摘
多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段。在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光。化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实现晶圆抛光。除了研浆本身的化学性质外,研浆的效果也受研磨颗粒性质的影响。如果我们能够更好的理解研磨颗粒的特性和颗粒研磨机制,将会有助于提高化学机械抛光效果。本文主要讨论了颗粒形成、研浆稳定性、颗粒润滑以及化学机械抛光中颗粒设计中的最新进展。
关键词
CMP
多层金属化
研磨颗粒
设计
Keywords
CMP
Multilevel metallization
Abrasive particles
Modelling
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学机械抛光中的颗粒技术
Kalyan S. Gokhale
Brij M. Moudgil
涂佃柳
(译
)
刘晓斌(译)
《电子工业专用设备》
2011
2
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