电子束曝光系统鞍形线圈的偏转象差与绕线分布

本文对扫描电子束曝光系统(SEBLS)透镜后偏转鞍形线圈的三级偏转像差对电子光柱系统的重要参数:偏转器与透镜之间的距离Z_o,工作距离Z_s以及对偏转器几何形状参数L/R的关系进行了较系统的分析;对绕线分布的影响(包括绕线中心位置、绕线宽度及绕线对称性对象差的影响)的计算结果指出:当鞍形磁偏转器(Saddle-type)以π/6为中心两侧对称布线时,因绕线分布所产生的偏转像差影响在微米、亚微米曝光系统中可以忽略。根据上述原理,我们研制成功一??种高精度WEDM偏转器,它有效的介决了CAD优化设计实际绕线工艺之间的一致性问题,这一偏转器的性能及其优越性,已在我们的微米圆束机中得到证实。