GaN HEMT热特性的反射热成像研究

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)已在电力电子的诸多领域得到广泛应用,但需要解决高功率密度带来的热瓶颈问题。反射热成像是一种具有高空间分辨率的全场温度成像技术,适用于捕捉HEMT的运行温度,从而制定合适的热管理策略。利用反射热成像系统对6种GaN HEMT的场板和漏极温度分布进行了测试,实验与仿真结果偏差在6%以内。通过热阻分析比较了不同衬底厚度和外延设计对器件热特性的影响,衬底热阻占总热阻的比例超过40%,将衬底厚度从100μm减薄至60μm,热阻降低8.1%,衬底减薄对于热阻的降低影响显著程度高于外延设计变更。上述结果凸显了反射热成像方法用于指导器件热优化的重要性。

GaN HEMT热特性的反射热成像研究

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)已在电力电子的诸多领域得到广泛应用,但需要解决高功率密度带来的热瓶颈问题。反射热成像是一种具有高空间分辨率的全场温度成像技术,适用于捕捉HEMT的运行温度,从而制定合适的热管理策略。利用反射热成像系统对6种GaN HEMT的场板和漏极温度分布进行了测试,实验与仿真结果偏差在6%以内。通过热阻分析比较了不同衬底厚度和外延设计对器件热特性的影响,衬底热阻占总热阻的比例超过40%,将衬底厚度从100μm减薄至60μm,热阻降低8.1%,衬底减薄对于热阻的降低影响显著程度高于外延设计变更。上述结果凸显了反射热成像方法用于指导器件热优化的重要性。