厚度变化不敏感的近红外量子点发光二极管

近红外发光二极管在通信、传感和成像等领域的应用日益广泛.量子点作为一种有潜力的发光材料,在近红外发光范围内具有独特的优势.然而,现有的近红外量子点发光二极管存在一个严重的问题,即它们对发射层厚度非常敏感.为了解决这个问题,本文采用了一系列创新方法.通过引入核壳结构和表面处理,使光致发光量子效率达到80%,成功提高了载流子的传输性能并且增加了量子点的辐射复合速率,从而获得具有对发光层厚度不敏感的高效近红外量子点发光二极管.最终作者制备得到了在40-220 nm的范围内表现出性能稳定的近红外量子点发光二极管,该发光器件的发光峰波长位于1025 nm处,最高外量子效率达到11.5%.这项研究为近红外发光领域的发展提供了有力的支持,为未来光电子学和光通信技术的进步铺平了道路.