ZnO过渡层对Au/Hg_3In_2Te_6肖特基接触特性的影响研究

利用脉冲激光沉积技术在Hg3In2Te6晶体表面制备ZnO过渡层,并对ZnO过渡层进行了表征。结合X射线光电子能谱深度剖析对ZnO/Hg3In2Te6界面元素的化合态进行研究,并通过半导体参数分析仪对Au/ZnO/Hg3In2Te6肖特基接触电学特性进行测试。研究结果表明,采用本实验条件可在Hg3In2Te6晶体表面获得结晶度高、表面粗糙度低,且沿(002)晶面择优生长的ZnO过渡层。同时,ZnO过渡层的引入使Au/Hg3In2Te6肖特基接触的漏电流降低一个数量级,势垒高度提高6.5%。这种现象可能是由于ZnO/Hg3In2Te6界面存在的互扩散使O原子占据了Hg原子空位,从而降低耗尽层中能级缺陷而引起。

FSW参数对侧墙板焊缝表面的影响

基于侧墙板搅拌摩擦焊焊接过程中由于参数选取不当导致焊接缺陷的产生,从搅拌头转速、焊接速度等方面进行了相关实验及数据分析,最后,通过实验的方式,线性分析了FSW焊接参数对侧墙板焊接质量的影响,为指导车间后续进行侧墙板的生产提供了有效的参考依据,并为车体其他大部件的FSW焊接生产提供有力的实验支撑,从而达到提质增效的目的。