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纳米硅薄膜界面结构的微观特征 被引量:9
1
作者 何宇亮 褚一鸣 +2 位作者 王中怀 刘湘娜 白春礼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期71-73,T001,2,共5页
对使用等离子体增强化学汽相沉积法(PECVD)制备的纳米硅薄膜(nc-Si:H),使用HREM及STM技术观测了其显微结构,给出大量的界面结构图象.首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况.使我们认识到nc-Si:H... 对使用等离子体增强化学汽相沉积法(PECVD)制备的纳米硅薄膜(nc-Si:H),使用HREM及STM技术观测了其显微结构,给出大量的界面结构图象.首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况.使我们认识到nc-Si:H膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的. 展开更多
关键词 硅薄膜 界面结构 特征 纳米硅薄膜
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热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜 被引量:5
2
作者 张荣 施洪涛 +3 位作者 郑有 于是东 何宇亮 刘湘娜 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第11期10-13,共4页
提出了热丝化学气相淀积法,在低温(600-750℃)下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜,X光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构,光致发光测量证明外延SiC材料室温下可稳定发射可见光。
关键词 热丝法 低温生长 碳化硅 单晶
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a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱 被引量:1
3
作者 邱树业 王志超 +1 位作者 刘湘娜 冯小梅 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1990年第1期32-38,共7页
我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。
关键词 半导体 超晶格 薄膜 光声谱
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纳米硅薄膜的电致发光和光致发光探索 被引量:1
4
作者 何宇亮 余明斌 +8 位作者 万明芳 李雪梅 徐士杰 刘湘娜 于晓梅 郑厚植 罗晋生 魏希文 戎霭伦 《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》 1995年第3期359-361,共3页
自从多孔硅的光致发光被报道以来,引起人们的极大关注,这方面的研究得到很大的发展。关于其发光机理,文献[2~4]分别作了解释,目前还存在一定分歧,但人们已经普遍认为量子限制效应在起重要作用,同时表面态也有一定作用。另一方面,虽然... 自从多孔硅的光致发光被报道以来,引起人们的极大关注,这方面的研究得到很大的发展。关于其发光机理,文献[2~4]分别作了解释,目前还存在一定分歧,但人们已经普遍认为量子限制效应在起重要作用,同时表面态也有一定作用。另一方面,虽然多孔硅有很强的发光,但其发光稳定性却一直不能得到很好解决,而且多孔硅的制备为湿法工艺,与传统的硅平面工艺相差甚远,这给多孔硅的进一步发展和应用带来很大困难.Veprek等报道了对非晶硅进行高温下氧气氛中后退火处理,使非晶硅薄膜中形成小颗粒晶粒。 展开更多
关键词 纳米硅 电致发光 光致发光 薄膜
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纳米硅/非晶硅多层膜室温可见光致发光研究
5
作者 佟嵩 刘湘娜 鲍希茂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期716-720,共5页
本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅(nc-Si:H)/氢化非晶硅(a-Si:H)多层膜中,未经任何后处理工艺,观察到室温可见光致发光(PL).当nc-Si:H层厚度由4.0nm下降至2.1nm时... 本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅(nc-Si:H)/氢化非晶硅(a-Si:H)多层膜中,未经任何后处理工艺,观察到室温可见光致发光(PL).当nc-Si:H层厚度由4.0nm下降至2.1nm时,PL峰波长由750nm兰移至708nm.本文将这种对量大于Si单晶能隙的光发射归因于多层膜中nc-Si:H子层的量子尺寸效应. 展开更多
关键词 纳米硅 非晶硅 多层膜 光致发光 可见光
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PHOTOACOUSTIC MEASUREMENT OF AMORPHOUS SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE FILMS
6
作者 FENG Xiaomei LIU Xiangna +1 位作者 WANG Zhichao QIU Shuye 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS 1986年第11期481-484,共4页
We present here the first measurement of photoacoustic spectra(PAS)of a-Si:H/a-SiNx:H multilayers.By converting the PAS signal to absorption coefficient,the blue shift and the broadening of Urbach edge are explained a... We present here the first measurement of photoacoustic spectra(PAS)of a-Si:H/a-SiNx:H multilayers.By converting the PAS signal to absorption coefficient,the blue shift and the broadening of Urbach edge are explained as the results of quantum size effect in superlattice structure. 展开更多
关键词 structure. SUPER QUANTUM
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THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS
7
作者 LIU Xiangna XU Mingde 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS 1986年第2期73-76,共4页
Light-induced dark-and photoconductivity changes(so-caiied SWE)have been investigated on GD undoped microcrystaVLine Si:H(Ua-Si:H).The SWE deareas’es and reaches vanishir.O as the grain size increases.An interpretati... Light-induced dark-and photoconductivity changes(so-caiied SWE)have been investigated on GD undoped microcrystaVLine Si:H(Ua-Si:H).The SWE deareas’es and reaches vanishir.O as the grain size increases.An interpretation for the tuio-phase structure and the contribution of grain boundary defeats is given. 展开更多
关键词 INTERPRETATION reaches GRAIN
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硅基薄膜发光材料
8
作者 鲍希茂 刘湘娜 《薄膜科学与技术》 1995年第3期270-270,共1页
硅是微电子技术的基础材料,硅集成技术已高度发展,但硅却是非发光材料。为了发展硅基光电子技术,人们对硅基发光材料作了多方面的探索,其中有“缺陷工程”-在硅中引入作为辐射复合中心的杂技或缺陷,使之发光。“能带结构工程”-... 硅是微电子技术的基础材料,硅集成技术已高度发展,但硅却是非发光材料。为了发展硅基光电子技术,人们对硅基发光材料作了多方面的探索,其中有“缺陷工程”-在硅中引入作为辐射复合中心的杂技或缺陷,使之发光。“能带结构工程”-利用量子限制效应,利用具有不同能带结构的材料组合,获得硅基发光材料。“异质外延材料”-以硅为基底外延生长具有发光性能的材料。 展开更多
关键词 硅基薄膜 发光材料 薄膜
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用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光 被引量:6
9
作者 刘湘娜 吴晓薇 +1 位作者 鲍希茂 何宇亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期985-990,共6页
报道用高氢稀释硅烷为反应气源,用等高子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜,未经任何后处理过程,在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子... 报道用高氢稀释硅烷为反应气源,用等高子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜,未经任何后处理过程,在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙,还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 展开更多
关键词 薄膜 光致发光 化学汽相沉积
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掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究 被引量:2
10
作者 刘湘娜 徐刚毅 +2 位作者 眭云霞 何宇亮 鲍希茂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期512-516,共5页
研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 .对掺磷的nc Si∶H样品 ,测量出其ESR信号的 g值为 1.9990— 1.9... 研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 .对掺磷的nc Si∶H样品 ,测量出其ESR信号的 g值为 1.9990— 1.9991,线宽ΔHpp为 (4 0— 42 )× 10 -4 T ,ESR密度Nss为 10 17cm-3 数量级 .对掺硼的nc Si∶H样品 ,其ESR信号的 g值为 2 .0 0 76— 2 .0 0 78,ΔHpp约为 18× 10 -4 T ,Nss为 10 16cm-3 数量级 .结合有关这种薄膜的微结构及导电等特性分析 ,对上述ESR来源 ,其线宽及密度等进行了解释 .认为掺磷的ESR信号来源于纳米晶粒 /非晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子 ,而掺硼的ESR信号来源于非晶本体中a 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 微结构 电子自旋共振 缺陷态 掺杂
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纳米硅薄膜光吸收谱的研究 被引量:5
11
作者 刘湘娜 何宇亮 +1 位作者 F.WANG R.SCHWARZ 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第12期1979-1984,共6页
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米... 用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 展开更多
关键词 纳米硅 薄膜 吸收谱 恒安光电导法
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纳米硅薄膜的研制 被引量:37
12
作者 何宇亮 刘湘娜 +3 位作者 王志超 程光煦 王路春 余是东 《中国科学(A辑)》 CSCD 1992年第9期995-1001,共7页
使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一... 使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性. 展开更多
关键词 纳米硅 非晶硅 微晶硅 薄膜
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非晶硅薄膜晶化过程中微结构的分析 被引量:6
13
作者 何宇亮 周衡南 +2 位作者 刘湘娜 程光煦 余是东 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第11期1796-1802,T001,共8页
使用X射线衍射技术和高分辨率电子显微镜(HREM),分析研究了在非晶硅薄膜由非晶相向微晶相转化过程中其网络结构的变化特征,由此,给人们一个直观的信息,并加深对非晶硅薄膜微结构的认识。
关键词 非晶 薄膜 晶化 微结构
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Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光 被引量:12
14
作者 佟嵩 刘湘娜 +3 位作者 高婷 尹浩 陈逸君 鲍希茂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期378-384,共7页
用等离子体增强辉光放电法制成aSi∶H∶O薄膜,未经任何后处理过程,观察到峰值分别位于340—370,400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定,其强度与薄膜中的氧含量紧密相关,... 用等离子体增强辉光放电法制成aSi∶H∶O薄膜,未经任何后处理过程,观察到峰值分别位于340—370,400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定,其强度与薄膜中的氧含量紧密相关,而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制.前两个PL峰来源于aSi∶H∶O中与氧有关的色心。 展开更多
关键词 室温 光致发光 紫外 薄膜 非晶氢氧硅
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PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光 被引量:3
15
作者 佟嵩 刘湘娜 +2 位作者 王路春 阎峰 鲍希茂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期1217-1222,共6页
在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光.发光谱处在500—800nm之间,它有两个分别位于630—680nm和730nm附近的峰,两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系.根据这种材料的结构特性... 在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光.发光谱处在500—800nm之间,它有两个分别位于630—680nm和730nm附近的峰,两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系.根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论。 展开更多
关键词 PECVD 纳米晶 薄膜 电致发光器件
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Study of Nano-crystalline Silicon Films
16
作者 何宇亮 刘湘娜 +3 位作者 王志超 程光煦 王路春 于是东 《Science China Mathematics》 SCIE 1993年第2期248-256,共9页
By using strong hydrogen dilution of silane in PECVD system and controlling the deposition parameters strictly, we have prepared a-Si:H and nc-Si:H as well as μc-Si:H films respectively. The structural characters of ... By using strong hydrogen dilution of silane in PECVD system and controlling the deposition parameters strictly, we have prepared a-Si:H and nc-Si:H as well as μc-Si:H films respectively. The structural characters of nc-Si: H films detected by means of HREM, Raman and X-ray diffraction spectra are identified as coinciding with the known definition of nanometer solids. The unique electrical and optical properties of nc-Si:H films are considered as the consequence of its novel structures. 展开更多
关键词 NANO-CRYSTALLINE SILICON DEPOSITION mierostructure.
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