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连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响 被引量:1
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作者 吴磊 蔡道林 +6 位作者 陈一峰 刘源广 闫帅 李阳 余力 谢礼 宋志棠 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1134-1141,共8页
为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲... 为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲劳特性与常规疲劳特性进行了对比分析,并对失效原因和修复方法进行了讨论;对比了8种不同RESET-SET次数比下的单元疲劳特性.实验结果表明:连续性RESET操作对相变存储器疲劳特性的影响很小,RESET-only模式下的相变存储器疲劳特性与常规疲劳特性处于同一量级;连续性SET操作会显著降低相变存储器的的疲劳特性,SET-only模式下相变存储器疲劳特性比常规疲劳特性低2个数量级;连续性RESET操作带来的失效无法逆转,而连续性SET操作带来的失效可以通过间隙性施加RESET操作得以修复. 展开更多
关键词 相变存储器 连续性RESET操作 连续性SET操作 疲劳特性 失效改善
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Reliability Modelling and Prediction Method for Phase Change Memory Using Optimal Pulse Conditions
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作者 YAN Shuai CAI Daolin +4 位作者 CHEN Yifeng XUE Yuan LIU Yuanguang WU Lei SONG Zhitang 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 EI 2020年第1期1-9,共9页
Phase change memory(PCM)has reached the level of mass production.The first step in mass production is determining the proper pulse conditions of high-resistance(HR)and low-resistance(LR)states to realize the best perf... Phase change memory(PCM)has reached the level of mass production.The first step in mass production is determining the proper pulse conditions of high-resistance(HR)and low-resistance(LR)states to realize the best performance of PCM chips on the basis of longer endurance characteristics.However,due to the neglect of each of the relations as well as the square term of each relationship for pulse conditions,the standard screening method for pulse conditions cannot accurately det ermine the optimal pulse conditions.A new statistical prediction method based on regression analysis is presented in this work.The method can model and predict the optimal pulse conditions of PCM chips on the basis of longer endurance characteristics.In the method,the parameter est imates,model equations and surface plot are genera ted by the least-mean-square(LMS)method for the regression analysis;the prediction model is established by monitoring the distributions of the resistance values collected from a 4 Kbit block of the 4 Mbit PCM test chips in 40 nm complementary metal oxide semiconductor(CMOS)process. 展开更多
关键词 PHASE CHANGE memory(PCM) prediction model regression analysis PULSE conditions
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