卫星用长波HgCdTe探测器的研究

报道了卫星用长波HgCdTe红外探测器的性能。提出用波段探测率D_(Δλ)~*的概念来表征在105K下特定波段10.5～12.5μm工作的探测器性能。D_(Δλ)~*的值在1～3×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1)范围内,可靠性试验结果表明,探测器的失效率小于2.5×10^(-5)。

“风云二号”卫星用水汽/热红外双波段探测器

报导了我国第一颗静止气象卫星“风云二号”卫星多通道扫描辐射计中使用的水汽 /热红外双波段 6 .3～ 7.6 μm、10 .5～ 12 .5μm四元碲镉汞红外探测器性能。探测器工作温度T =10 0K时 ,热红外波段探测率D ( 10 .5～ 12 .5) 为 3.4× 10 10 cmHz1/2 /W ,波段响应率R( 10 .5～ 12 .5) 为 3.0× 10 4 (V/W ) ;水汽波段探测率D ( 6 .3～ 7.6 ) 为 1.1× 10 11cmHz1/2 /W ,波段响应率R( 6 .3～ 7.6 ) 为 6 .1× 10 4 (V/W )。探测器经过环境应力筛选 ,密封筛选 ,电应力筛选 ,抗太阳辐照试验 ,电子、质子辐照试验以及高真空、低温工作寿命试验 ,获得了探测器可靠性寿命数据 ,器件失效率小于 7.5× 10 - 6 /h。

剩余杂质对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体光吸收的影响

研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体经吸除工艺处理前后的透射光谱,发现样品经吸除处理后的光吸收发生明显变化,分析认为因吸除工艺降低了样品内的剩余杂质含量,从而减少了杂质参与的光吸收,利用受主“掺杂”实验进一步验证了上述解释。

区熔法生长掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体

报道了用区熔法生长掺Sb-Hg(1-x)Cd_xTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10^(-4)。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体作为光伏器件的p型基底材料是可行的。

Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数反常的检测和分析

系统地分析和研究了N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数的各种表现,从中归纳出三种霍耳参数反常的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料及其霍耳参数随温度和磁场变化的特征。通过实验和理论分析找出这三类材料电参数反常的起因,给出了正确判断材料性能及获取真实反映材料电学特性参数的方法。

空间用1.6μmHg_(1-x)Cd_xTe室温光伏探测器

报道了采用改进的区熔工艺生长的三元系金属化合物半导体ＨｇＣｄＴｅ材料研制的短波光伏探测器．其工作温度为室温（３００Ｋ），在响应波段１．５８～１．６４μｍ内探测率优于３．０×１０１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量子效率达７０％．暗电流主要受制于扩散电流与产生复合电流，器件经环境模拟试验，定标与联试，完全符合空间工程应用的要求．

1～3μm HgCdTe光伏型列阵探测器的研制

报道了用于红外高分辨率扫描仪的1～3μmHgCdTe光伏型列阵探测器的研制和性能.

掺Sb-Hg0.8 Cd0.2 Te晶体的缺陷分析

用固态再结晶法生长了掺Sb-Hg0.8Cd0.2Te晶体。通过对掺杂晶片不同条件的热处理,促使晶体内的缺陷状态发生变化,并用热处理后迅速淬火的方法冻结高温下的缺陷状态。电学测量结果表明:掺杂样品的空穴浓度和热处理条件的关系明显不同于未掺杂样品。根据缺陷化学平衡理论分析认为重掺杂样品中Sb大多数以中性复合缺陷的形式存在,Sb具有受主、施主二重性,其状态和高温热处理条件有关。