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利用共焦显微技术测试亚微米尺寸
1
作者
邓君龙
潘文伟
刘甫毅
《微电子技术》
1999年第1期31-38,共8页
当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时,精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽/间距尺寸,将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术,以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能,测试0.5μm,...
当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时,精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽/间距尺寸,将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术,以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能,测试0.5μm,0.3μm的黑/白条宽,及其仪器测试性能分析。
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关键词
共焦显微技术
CD值
定义缺陷尺寸
Nipkow盘
stepper版
下载PDF
职称材料
题名
利用共焦显微技术测试亚微米尺寸
1
作者
邓君龙
潘文伟
刘甫毅
机构
中国华晶电子集团公司掩模工厂
出处
《微电子技术》
1999年第1期31-38,共8页
文摘
当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时,精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽/间距尺寸,将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术,以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能,测试0.5μm,0.3μm的黑/白条宽,及其仪器测试性能分析。
关键词
共焦显微技术
CD值
定义缺陷尺寸
Nipkow盘
stepper版
Keywords
Conforal micro-tech
Defined size of defect
Critical dimension
Nipkow dish
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用共焦显微技术测试亚微米尺寸
邓君龙
潘文伟
刘甫毅
《微电子技术》
1999
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