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基于慕课的“信号与系统”教学实践
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作者 金林 万丽娟 +2 位作者 江胜利 卫宁 刘畅咏 《电气电子教学学报》 2023年第6期177-181,共5页
分析了合肥师范学院电子信息类专业学生“信号与系统”学习难度大的因素,针对某些教学难点,探讨了对于数理基础较弱学生的教学,教学改进措施包括借鉴慕课资源、回顾高数等知识点和线上线下协同教学。该课程以学生为中心,重视学生的物理... 分析了合肥师范学院电子信息类专业学生“信号与系统”学习难度大的因素,针对某些教学难点,探讨了对于数理基础较弱学生的教学,教学改进措施包括借鉴慕课资源、回顾高数等知识点和线上线下协同教学。该课程以学生为中心,重视学生的物理概念理解,激发学生的学习兴趣。 展开更多
关键词 信号与系统 慕课 物理概念
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N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究 被引量:1
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作者 赵强 徐骅 +4 位作者 刘畅咏 韩波 彭春雨 王静 吴秀龙 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期515-519,共5页
基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器... 基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器件各端口电流的变化情况。研究结果表明,增大N阱掺杂浓度能有效降低衬底空穴收集量,提升N阱电势,抑制寄生双极放大效应,减少SET脉冲宽度。该研究结果对从工艺角度提升PMOS器件的抗辐射性能有指导意义。 展开更多
关键词 PMOS 单粒子瞬态 工艺波动 掺杂浓度 N阱
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"集成电路制造技术—原理与工艺"课程思政教学探索 被引量:1
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作者 卫宁 鲁世斌 刘畅咏 《合肥师范学院学报》 2022年第3期79-82,共4页
结合"集成电路制造技术—原理与工艺"课程特点与优势,分别从社会主义核心价值观和党史教育角度深度挖掘集成电路制造核心技术相关思政热点,达到多角度课程思政融合协同育人.研究提出了课程思政实施的具体思路,辅助"互联... 结合"集成电路制造技术—原理与工艺"课程特点与优势,分别从社会主义核心价值观和党史教育角度深度挖掘集成电路制造核心技术相关思政热点,达到多角度课程思政融合协同育人.研究提出了课程思政实施的具体思路,辅助"互联网+"技术,在教学目标、教学设计、教学过程及教学管理环节有效融入社会主义核心价值观和党史教育等思想政治典型素材.这不仅能够提高课堂教学效果,而且有助于实现价值导向和专业知识有机统一,形成协同效应,从而实现铸魂育人和立德树人的归宿. 展开更多
关键词 社会主义核心价值观 集成电路工艺 课程思政 党史教育
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