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题名基于慕课的“信号与系统”教学实践
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作者
金林
万丽娟
江胜利
卫宁
刘畅咏
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机构
合肥师范学院电子信息工程学院
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出处
《电气电子教学学报》
2023年第6期177-181,共5页
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基金
安徽省高等学校省级质量工程项目(2021jxtd233,2020xsxxkc380,2020kfkc430)
省级科研平台专项项目(2020PT07)。
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文摘
分析了合肥师范学院电子信息类专业学生“信号与系统”学习难度大的因素,针对某些教学难点,探讨了对于数理基础较弱学生的教学,教学改进措施包括借鉴慕课资源、回顾高数等知识点和线上线下协同教学。该课程以学生为中心,重视学生的物理概念理解,激发学生的学习兴趣。
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关键词
信号与系统
慕课
物理概念
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Keywords
signal and system
MOOC
physical concept
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分类号
G421
[文化科学—课程与教学论]
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题名N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究
被引量:1
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作者
赵强
徐骅
刘畅咏
韩波
彭春雨
王静
吴秀龙
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机构
安徽大学电子信息工程学院
阜阳师范学院计算机与信息工程学院
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期515-519,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61674002)
安徽省自然科学基金青年项目(1808085QF209)
安徽省高校自然科学研究项目(KJ2017A333)
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文摘
基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器件各端口电流的变化情况。研究结果表明,增大N阱掺杂浓度能有效降低衬底空穴收集量,提升N阱电势,抑制寄生双极放大效应,减少SET脉冲宽度。该研究结果对从工艺角度提升PMOS器件的抗辐射性能有指导意义。
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关键词
PMOS
单粒子瞬态
工艺波动
掺杂浓度
N阱
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Keywords
PMOS
SET
process fluctuation
doping concentration
N-well
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名"集成电路制造技术—原理与工艺"课程思政教学探索
被引量:1
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作者
卫宁
鲁世斌
刘畅咏
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机构
合肥师范学院电子信息与电气工程学院
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出处
《合肥师范学院学报》
2022年第3期79-82,共4页
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基金
安徽省高等学校省级质量工程项目“精品线下开放课程《数字电子技术基础》”(2018kfk093)
合肥师范学院校级质量工程项目“《半导体工艺原理》课程思政建设研究”(2020szjy09)。
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文摘
结合"集成电路制造技术—原理与工艺"课程特点与优势,分别从社会主义核心价值观和党史教育角度深度挖掘集成电路制造核心技术相关思政热点,达到多角度课程思政融合协同育人.研究提出了课程思政实施的具体思路,辅助"互联网+"技术,在教学目标、教学设计、教学过程及教学管理环节有效融入社会主义核心价值观和党史教育等思想政治典型素材.这不仅能够提高课堂教学效果,而且有助于实现价值导向和专业知识有机统一,形成协同效应,从而实现铸魂育人和立德树人的归宿.
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关键词
社会主义核心价值观
集成电路工艺
课程思政
党史教育
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分类号
G642.3
[文化科学—高等教育学]
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