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高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计
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作者 李中江 夏俊峰 +1 位作者 刘美溶 薛发龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期1-4,共4页
高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.
关键词 功率VDMOS 场效应晶体管 版图 设计
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