1
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高压碳化硅IGBT器件的电学特性 |
肖凯
刘航志
王振
邹延生
王俊
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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2
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SiO_2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响 |
刘航志
周郁明
袁晨
陈涛
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《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
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2017 |
2
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3
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SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比 |
周郁明
刘航志
杨婷婷
陈兆权
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2019 |
2
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4
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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型 |
周郁明
蒋保国
刘航志
陈兆权
王兵
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《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
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2019 |
4
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5
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碳化硅MOSFET电路模型及其应用 |
周郁明
刘航志
杨婷婷
王兵
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
4
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6
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碳化硅MOSFET的Matlab/Simulink建模及其温度特性评估 |
周郁明
刘航志
杨婷婷
王兵
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《南京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
6
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7
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基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究 |
周郁明
李勇杰
鲍观甲
刘航志
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《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
2
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8
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基于全SiC器件的交错并联Boost PFC电路 |
周郁明
杨婷婷
鲍观甲
刘航志
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《电力电子技术》
CSCD
北大核心
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2017 |
0 |
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9
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四步法对比剂注射技术在颈部增强CT检查中的应用研究 |
李薇
何雪颖
张利荣
佟亚建
高彤
吴超
刘航志
刘兆会
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《临床放射学杂志》
北大核心
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2021 |
0 |
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