期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
氩气压强对射频磁控溅射ZnO∶Al薄膜结构和性能的影响 被引量:2
1
作者 刘著光 杨伟锋 +2 位作者 吕英 黄火林 吴正云 《光谱实验室》 CAS CSCD 2008年第3期425-427,共3页
以ZnO∶Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO∶A l(AZO)薄膜,通过XRD、AFM以及H all效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,当压强为1.2Pa时... 以ZnO∶Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO∶A l(AZO)薄膜,通过XRD、AFM以及H all效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,当压强为1.2Pa时薄膜的电阻率降至最低(2.7×10-3Ω·cm)。薄膜在可见光区平均透射率高于90%,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度。 展开更多
关键词 RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜
下载PDF
LED的COB封装热仿真设计 被引量:19
2
作者 兰海 邓种华 +2 位作者 刘著光 黄集权 曹永革 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期535-539,共5页
通过对COB封装中常用的陶瓷基板和金属基板这两类不同的基板材料进行有限元热仿真模拟,获得各自芯片到基板的仿真热阻,再使用红外热成像仪得到两种基板各自的表面温度分布情况并计算出实际热阻。仿真热阻与实际热阻的一致性表明了所采... 通过对COB封装中常用的陶瓷基板和金属基板这两类不同的基板材料进行有限元热仿真模拟,获得各自芯片到基板的仿真热阻,再使用红外热成像仪得到两种基板各自的表面温度分布情况并计算出实际热阻。仿真热阻与实际热阻的一致性表明了所采用的仿真计算方法的可用性。利用有限元仿真对COB封装的热管理方案进行了优化分析。研究表明:相对于金属基板,陶瓷基板由于无绝缘层这一散热瓶颈,其芯片到基板的热阻值约为金属基板封装方案的1/2;而且陶瓷基板有着更大的热管理优化空间,能更好地满足大功率LED封装的散热需要。 展开更多
关键词 COB封装 有限元分析 热仿真
下载PDF
一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制 被引量:2
3
作者 杨伟锋 蔡加法 +3 位作者 张峰 刘著光 吕英 吴正云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期570-573,共4页
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电... 采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比. 展开更多
关键词 4H-SIC 金属-半导体-金属 一维阵列 响应度
下载PDF
Structure, Chemical State and Luminescent Properties of Ce,Gd:YAG Transparent Ceramic for Flip-chip White LED Application 被引量:2
4
作者 邓种华 陈剑 +5 位作者 刘著光 张卫峰 黄集权 黄秋凤 郭旺 曹永革 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2018年第6期948-954,共7页
Ce,Gd:YAG transparent ceramic was prepared by tape casting and solid state reaction method. Meanwhile, its crystal structure, chemical state and luminous properties were discussed. The prepared samples are identified... Ce,Gd:YAG transparent ceramic was prepared by tape casting and solid state reaction method. Meanwhile, its crystal structure, chemical state and luminous properties were discussed. The prepared samples are identified as pure garnet structure by the XRD results. The valence states of tetravalent and trivalent Ce ions were identified distinctly by X-ray photoelectron spectroscopy. A strong broad band yellow emission was found in photoluminescence(PL) spectra. The quantum yield reached 90.2% at room temperature. When collaborated with a 1.0 mm × 1.0 mm flip-chip, a luminous efficiency(LE) as high as 116.5 lm/W with a correlated color temperature(CCT) of 6627 K at a power dissipation of 1.13 W at 350 m A was demonstrated, indicating that Ce,Gd:YAG transparent ceramics had a promising potential for high power white light-emitting diodes. 展开更多
关键词 Ce Gd:YAG crystal structure TRIVALENT fluorescence and luminescence
下载PDF
RF磁控溅射功率对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响 被引量:10
5
作者 杨伟锋 刘著光 +2 位作者 吕英 黄火林 吴正云 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1648-1652,共5页
采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3(2wt%Al2O3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO:Al(AZO)薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率(50-300w)对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分... 采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3(2wt%Al2O3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO:Al(AZO)薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率(50-300w)对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分析表明:所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜,晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低(3.995×10^-33Ω·cm),可见光区平均透射率为91%。 展开更多
关键词 RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜
原文传递
RF磁控溅射制备AZO透明导电薄膜及其性能(英文) 被引量:2
6
作者 杨伟锋 刘著光 +2 位作者 张峰 黄火林 吴正云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2311-2315,共5页
室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底上制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响.分析表明:在最优条件下(溅射功率为250W,氩气压强... 室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底上制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响.分析表明:在最优条件下(溅射功率为250W,氩气压强为1.2Pa时),180nmAZO薄膜的电阻率为2.68×10-3Ω.cm,可见光区平均透射率为90%,适合作为发光二极管和太阳能电池的透明电极.所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,晶粒间界中的O原子吸附是限制薄膜电学性能的主要因素. 展开更多
关键词 RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜 电学性能 光学性能
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部