结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响

使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著。

宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响

针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同:体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小。基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象。研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义。

阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。

Parasitic bipolar amplification in a single event transient and its temperature dependence

Using three-dimensional technology computer-aided design （TCAD） simulation, parasitic bipolar amplification in a single event transient （SET） current of a single transistor and its temperature dependence are studied. We quantify the contributions of different current components in a SET current pulse, and it is found that the proportion of parasitic bipolar amplification in total collected charge is about 30% in both ]30-nm and 90-nm technologies. The temperature dependence of parasitic bipolar amplification and the mechanism of the SET pulse are also investigated and quantified. The results show that the proportion of charge induced by parasitic bipolar increases with rising temperature, which illustrates that the parasitic bipolar amplification plays an important role in the charge collection of a single transistor.

275例颅脑损伤患者院前急救总结

目的:总结颅脑损伤院前急救处理的正确方法。方法:对275例颅脑损伤患者院前急救病例进行回顾性分析。结果:全组颅脑损伤患者经现场及时判断与积极处理后送回本医院就诊,无一例发生中途死亡。结论:对脑外伤病例施行积极的院前诊治,可以为患者入院后的继续治疗赢得宝贵时间,提高生存率。

人工智能在军人心理服务领域的应用

人工智能正在加速世界军事变革进程,给军队作战样式、武器装备和战斗力生成带来根本性变化。如何运用人工智能创新军人心理服务方法与技术,以最大限度减少心理损伤减员,成为近年研究热点。本文从军人心理评估与选拔、军人心理预警、军事心理训练和军人心理干预四个方面着手,详细梳理了人工智能在军人心理服务领域的应用现状,以期为相关研究提供思路和发展方向。