大尺寸黑磷晶体的制备

黑磷(BP)具有可调控的带隙、高载流子迁移率、优良的通断比和热导率等特性,然而目前常用的制备BP的方法化学气相运输(CVT)法可能会引入杂质,且仅依靠CVT法难以获得高质量且大尺寸的BP晶体。本研究结合CVT法和种晶法,通过改变籽晶的数量,研究高质量、大尺寸BP的生长方法,并对BP的晶体结构、结晶质量、晶体形貌、光学性质和电学性质进行表征和分析。结果表明,在采用CVT法制备BP晶体的过程中引入BP籽晶,于595℃的真空环境中退火6 h,最终获得的BP晶体的横向尺寸是原始BP的1.5倍,这为制备高质量、大尺寸BP晶体提供了有益参考。