织构对铟凸点剪切强度的影响

制作了 2种形式的铟凸点 :即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球 .同时对比了铟柱和铟球 2种凸点的剪切强度 ,测试结果表明铟球剪切强度为 5 .6MPa ,铟柱的剪切强度为 1.9MPa ,前者约为后者的 2 .9倍 .对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现 :铟柱剪切强度低是织构弱化所致 ;铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想 (10 1)丝织构模式 。

泥水加压盾构泥水分离与处理方法及模式

泥水系统是泥水盾构的必不可少的配套系统,文章系统地叙述了泥水盾构的排浆、送浆、造浆、分离、处理等系统的组成,研究分析了泥水分离及处理方法,对各种地层的泥水处理模式提出了建议,可为类似工程的施工提供参考。

Pb/Sn凸点的制备

介绍了用电镀法制备Pb / Sn凸点的工艺,包括:凸点的设计,圆片的准备,溅射UBM(凸点下金属层),厚膜光刻,电镀Cu柱, Pb / Sn凸点,回流凸点等。结果表明:采用电镀法可以得到球形Pb / Sn凸点,50μm的厚胶工艺是可行的。

焊料凸点回流时的桥接现象研究

在用回流焊料凸点时,常会发生凸点的桥接现象,致使芯片报废。此时,相邻的多个凸点彼此融合,聚集成一个更大的焊料球,并吸干先前各凸点中的焊料。本文研究了电镀PbSn凸点和蒸发铟凸点的回流过程中出现的桥接现象。介绍了桥接现象产生的过程及其背景,分析了桥接现象的机理,提出了改进措施。

Cd扩散对InSb晶体质量的影响

InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑 ,对小坑的成分进行了分析 ,并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实验发现坑中Cd浓度约 4 4%。

EBSP对磁控溅射铟的晶化组织的研究

铟广泛应用于光电器件的封装互连中。这是因为铟独特的性质能够满足光电器件 ,尤其是能满足红外器件封装时对互连材料的要求 :低互连温度 ,低温工作条件下良好的机械性能。研究铟的组织和性能间的关系十分重要 ,但是在室温时用常规的金相方法获得铟真实的原始组织却很困难 ,常规的金相方法通常会获得假相。因为室温下的铟处于它的热加工区域 ,常规的金相制样过程会导致铟的动态回复和再结晶。用扫描电镜的EBSP技术直接观察按真实工艺步骤沉积的铟的原始组织 ,发现铟以多晶态存在 ,平均晶粒尺寸为 1.2 6 μm ,并且在 9μm×9μm局部范围内没有织构存在 ;铟的纳米硬度是 19.73MPa。

衬底对铟凸点织构的影响研究

为研究衬底材料对所溅射的铟织构模式的影响,选用UBM(UnderBumpMetallization)膜、InSb单晶和无定形PR(光刻胶)3种不同衬底材料磁控溅射铟,实验对比了3种衬底材料对铟织构的影响。实验结果表明:铟的织构模式基本不受衬底材料的影响,其织构模式主要为强(101)丝织构和弱的(110)丝织构。这证明了铟的织构形成机理是典型的生长竞争机制。

Cd掺杂扩散诱发InSb晶体缺陷的X光研究

文章采用了双晶衍射和同步辐射X射线貌相实验手段,对扩散掺杂Cd前后InSb单晶中位错密度的变化进行了对比分析。研究证实了扩散会导致InSb位错密度增加,导致双晶衍射的半高宽增加。较低的半高宽数值对应的X射线貌相中未观察到位错线,只有具有较高的半高宽数值的InSb单晶的X射线貌相上才显示了位错线。本文认为酸蚀可以有效去除InSb浅表面的高缺陷层。

泥水处理集成化模块的应用

叙述泥水处理集成化模块的发展现状,并对泥水处理集成化模块的组成及作用进行介绍。最后以国内外工程应用为例,说明泥水处理集成化模块具有占地面积小、处理效率高等特点,从而为泥水盾构施工中泥水处理方式的选型提供参考。

研究性学习:一种有效的高职教学模式

文章扼要介绍了南京信息职业技术学院基于研究室平台开展研究性学习的教学模式，提出了为培养学生实践创新能力开展研究性学习的支持系统和保障条件，并详细分析了开展研完性学习取得的主要成效，对高职院校有一定的借鉴和推广作用。

物联网主体岗位群工作任务与职业能力分析

在国家把物联网纳入"十二五"规划的形势下,从2010年起各地高校相继开设了物联网技术相关专业。对物联网电子通信类企业主体岗位(群)工作任务与职业能力进行分析,对于新专业的开设有着重大的意义。在调研分析的基础上,给出了物联网电子通信类企业常见岗位工作任务与职业能力分析意义、分析流程和分析表,探讨了物联网技术专业应注重培养的知识结构、能力结构、素质要求等,以期使研究工作有助于为即将开设该专业的学校提供参考。

Al焊盘表面氧化膜对金丝键合的影响

在半导体制造工艺中,Al焊盘表面的氧化膜会阻碍金丝键合。针对某公司新半导体工艺中出现键合失效问题的芯片,采用SEM,EDS和AES对切片前后的芯片进行了分析。结果发现,切片前后Al焊盘表面的元素成分基本一致,可以认为清洗工艺对金丝键合基本没有影响,它不是导致金丝键合失效的原因;通过AES对焊盘进行深度剖析,在深度接近Al焊盘高度的一半时,氧的含量仍然高达40%左右,如此高含量的氧已经足以将Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻碍了金丝键合所必需的金属连接和扩散过程,从而导致键合质量差,甚至无法实现键合。

微细碳粉对新型投影显示屏光学性能的影响

研究了微晶石墨和鱼骨状碳管的添加对新型投影显示屏光学性能的影响。结果表明，添加后投影显示屏样品的亮度并没有下降，添加鱼骨状碳管的投影显示屏的亮度和亮度均匀性均高于添加微晶石墨的投影显示屏，并从添加物的结构特点和散射机理方面进行了简单解释。

多频段背腔式半模基片集成波导弯折缝隙天线

针对需要安装在金属平台上的天线应用,提出了一种具有定向辐射特性的新型多频段背腔式半模基片集成波导缝隙天线。利用半模基片集成波导谐振腔的多模式特性实现了该天线多频段工作,通过在谐振腔的金属顶面蚀刻弯折形状的缝隙实现对外辐射,并可以通过调整弯折缝隙尺寸参数来减小天线尺寸。仿真和测试结果表明,该天线能同时工作在5.7/10.7/11.9/12.5/13.1GHz,且在这5个频段的最低增益大于6.7 dBi。天线具有便于和平面电路集成、体积小、结构简单、成本低等优点,具有一定的工程应用价值。

一种用于圆柱形金属载体的新型共形天线

提出了一种能用于圆柱形金属载体的新型全向共形天线,仿真分析了该天线在金属圆柱体上的辐射性能,分析结果表明该天线在垂直于圆柱体的四周全向辐射。在仿真基础上,制作了该天线并用于一个子母弹抛撒过程弹载测量记录系统,使用结果表明这种新型全向共形天线设计合理可行。此外,该天线还具有结构简单、低剖面、成本低、易生产的优点,在军事和民用上都有着广阔的发展和应用前景,如导弹、军舰、坦克等的探测和跟踪。

UHF防金属电子标签天线设计技术综述

目前防金属电子标签天线的设计技术方案主要有以下几种:电子标签的基板背面涂金属层、将标签天线集成在商品包装材料上、在标签基板中引入电磁带隙(EBG)结构、采用AMC结构作为标签天线的接地板。尽管国内外在各个方面都已开展了大量的研究工作,但要满足防金属电子标签高性能、低成本的要求,让防金属电子标签技术得到普及和大规模的使用,尚需做出不懈努力。

电磁继电器线圈开路失效模式的筛选方法研究

电磁继电器在使用中多次出现线圈开路失效,给宇航工程型号造成了很大损失。通过对电磁继电器线圈失效机理的分析,提出了一套针对性筛选方法,可以有效地剔除存在线圈导线缺陷的产品。

机载布撒武器弹载动态信息采集与分析系统的设计与实现

针对机载布撒武器子弹药开舱抛撒过程中对动态数据采集的需求,设计了弹载动态信息采集与分析系统。文中详细讨论了此系统的功能、组成及硬件与软件的设计方法。弹载动态信息采集与分析系统已成功的在某型号布撒武器抛撒试验中应用,得到的试验结果验证了该系统设计思路正确、合理,使用简单、方便,满足了抛撒试验过程中对子弹动态数据采集的需要,为实现机载布撒武器抛撒的动态数据采集和处理提供了有效的采集与分析手段。

超高频倒F形标签天线的分析和设计

本文提出了一种新型的射频识别超高频倒F形标签天线的设计,分析了其弯折微带线高度、宽度对天线谐振特性的影响.O地同在一带,ryband can be obtain仿真结果显示,弯折微带线宽度和高度对其谐振频率影响显著,采用调整其弯折微带线高度、宽度,可以改变该标签天线的工作频率。最后,采用TI公司的UHF Gen2 Strap标签芯片设计出一款超高频倒F形标签天线,同时给出了该标签天线的谐振频率、方向图以及天线效率等。结果表明该标签天线比较适合应用于RFID电子标签中。

UMTS和GSM/EDGE异构环境下多维马尔科夫模型分析

研究了异构网环境下多维马尔科夫建模问题。以UMTS和GSM/EDGE异构网为例,建立了一个四维马尔科夫模型,并通过降维和迭代得到其数值解,进而得到各子网和异构网的拥塞率、交通量、负载量和吞吐量。为进一步研究异构网环境下的接入选择问题建立了基础。