电子束蒸发制备CuAlO_2透明导电膜及光学性质

利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品。在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量。CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%。利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近。薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm。

p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用。近来在这方面的研究取得了一些突出的进展。本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展。

一种用于制冷的新型太阳能电池——CdS/CdTe

CdS CdTe多晶薄膜电池是一种利用CdS的优良窗口效应和CdTe良好的光电转换而做成的一种层叠的异质结薄膜太阳电池 ,是适用于制冷、新型、高效率、低成本的太阳能电池 ,具有低缺陷、能隙大、稳定性好的特点 ,并且制作工艺简单、经济 ,易于大面积沉积 ,而且还具有环保价值。综述了CdS CdTe多晶薄膜太阳能电池的特性及它的发展 。

大功率LED封装用散热铝基板的制备与性能研究

通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制基板和深圳光恒光电公司提供的铝基板上,检测温度与时间变化的关系,结果表明,自制散热铝基板性能更优。

TiO_2的光催化机理及在制冷设备中的消毒、杀菌作用

TiO2 利用光催化反应 ,能产生一些具有强氧化性的小尺寸离子 ,运用于制冷设备中可以消毒、杀菌。文中介绍了光催化机理 ,消毒、杀灭细菌的作用以及提高TiO2 光催化效率的途径 ,提出TiO2

金刚石刻蚀技术研究

金刚石因其卓越的物理和化学性能一直蕴涵着巨大的应用潜力,但其极高的硬度和优异的化学稳定性使其难以被加工成型,因此,在作为新型电子功能材料走向实际应用过程中,金刚石的微细加工技术非常关键。对近年来国内外采用等离子体刻蚀技术加工金刚石的基本工艺特点和最新进展进行了较系统的比较和总结,重点分析了功率、气体种类、气体流量、偏压、掺杂类型、离子注入、掩膜等因素对刻蚀过程的影响,以期为工艺参数的进一步优化提供参考。

具有负泊松比材料的研究进展

介绍了负泊松比晶体材料的研究进展,展望了负泊松比晶体材料的应用前景。

ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外,ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来,并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节,有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状,分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。

磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO_2气敏特性分析

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO∶In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力。

纳秒脉冲激光沉积中等离子体膨胀的动力学模型

针对纳秒脉冲激光沉积薄膜过程中等离子体膨胀的特点,建立了新的动力学模型.将等离子体视为高温高压的理想气体和无黏性的流体,得到了等离子体动力学方程组,并深入探讨了脉冲激光沉积过程中等离子体羽辉膨胀的速度特征.结果表明,影响等离子体内部及边缘速度的主要因素有:等离子体的温度、粒子的质量、等离子体的电离度以及动力学源等;由于动力学源的存在,等离子体的速度在垂直于靶材表面和平行于靶材表面的两个方向上,自然会形成具有不同自相似的分布.模拟了等离子体的膨胀过程,给出了等离子体的速度随温度的演化规律,实验结果比传统理论更为吻合.该结果对脉冲激光制备可控、高质量薄膜具有重要的指导作用.

高反射膜抗激光损伤的研究进展

介绍了高反射膜的研究现状和意义,重点综述了高反射膜的制备方法,损伤阈值测定,抗激光损伤性能的研究,以及研究热点,最后对其前景进行了展望。

金红石型TiO2点缺陷性质的第一性原理研究

本文运用基于局域密度泛函和赝势的第一性原理方法研究了金红石相TiO2点缺陷的电子性质,结果表明氧空位缺陷使晶体的费米能量升高,在能隙中没有产生杂质能级.钛空位缺陷使晶体的费米能量降低,并在价带顶部产生了一个杂质能级,与价带顶能量相差约0.4 eV.本文还计算了金红石相TiO2在具有氧空位和钛空位点缺陷情况下的键长变化、态密度和电荷布居状况.

Cu、Ag和Au掺杂AlN的电磁性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度.电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而戌的杂质带,都为p型掺杂,增强了体系的导电性.Cu掺杂AlN具有半金属铁磁性,半金属能隙为0.442 eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入;Ag掺杂AlN具有很弱的半金属铁磁性;而Au掺杂AlN不具有半金属铁磁性.因此,与Ag、Au相比,Cu更适合用来制作AlN基稀磁半导体.

Mg掺杂CuAlO_2电子结构的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了CuAlO_2晶体电子结构以及替位Mg杂质的特性.结果表明,Mg替代Al原子时形成受主杂质能级,而替代Cu原子时形成施主杂质能级;同时也计算了它们的形成能,发现前者是吸热反应,而后者是放热反应.另外,比较Mg替代Al与Mg替代Cu掺杂前后计算结果,发现前者费米能级变化不是很明显;而后者掺杂后费米能级明显向导带底移动.研究表明掺杂可改变CuAlO_2的导电类型和电导强弱,此结果对实验具有很好的参考价值.

化学处理增强碳纳米管的湿敏效应

研究了多壁碳纳米管的湿敏效应。研究中所用碳纳米管是用热灯丝化学汽相沉积法生长的。实验结果表明 ,经由化学修饰后碳纳米管的湿敏效应有了极大的增强。化学修饰后碳纳米管在水蒸汽中电阻相对变化达到了 30 0 % ,而未修饰只有 3.2 5 %。

催化剂厚度对碳纳米管直径的影响

由于碳纳米管具有独特的结构和性能 ,因而自从被发现以来一直受到人们的关注。近年来 ,已利用各种方法成功地合成出碳纳米管 ,特别是利用化学气相沉积方法制备高度准直的碳纳米管。分析了该方法中催化剂厚度对碳纳米管直径的影响 ,利用负衬底偏压热灯丝CVD系统和不同厚度的NiFe催化剂在Si衬底上直接生长 ,并用扫描电子显微镜来研究碳纳米管的生长过程。结果表明催化剂颗粒封闭了碳纳米管的顶端 ,催化剂厚度对碳纳米管的直径有较大的影响 。

TiO_2-WO_3复合薄膜型气敏传感器性质研究

二氧化钛和三氧化钨是具有重要功能的无机n型半导体材料,常用来制备气敏传感器。本文利用电子束蒸发制备了TiO2-WO3复合氧化物薄膜,在500℃下退火2 h。通过SEM和XRD观察了该薄膜的形貌特性并进行了气敏测试。实验表明,该薄膜对酒精、丙酮和二氧化硫气体具有较强的敏感性。本文还研究了温度、复合浓度和气体浓度对薄膜气体传感能力的影响。

TiO_2-KTaO_3复合薄膜制备与湿敏传感性质研究

通过溶胶凝胶法和旋涂法制备了单层和双层TiO2-KTaO3薄膜,并在不同的温度下退火1h,研究了该薄膜的湿敏传感特性。通过扫描电镜和X射线衍射研究了薄膜的形态特性,发现该薄膜具有纳米颗粒和毛细多孔结构。环境湿度变化从12%RH^97%RH的变化过程中,在500℃下退火的TiO2/KTaO3薄膜具有很高的灵敏度。对比单层薄膜,双层薄膜显示出有更大的电阻变化范围。还研究了TiO2/KTaO3薄膜的湿敏传感机理。

Rh_(13)团簇的几何结构和电子与磁性性质的计算(英文)

利用密度泛函理论,对Rh_(13)团簇的几何结构、电子和磁性性质进行了研究,在优化过程中,其几何结构由正二十面体演化为变形的非对称结构,相邻原子间由等键长变为不等键长.优化后Rh_(13)团簇的结合能比前面的其他研究者所得的结果大得多,这表明变形后的非对称结构比对称的正二十面体结构更为稳定.虽然我们得到的原子平均磁矩较之前面的研究者的结果小了一些,但是仍然比实验结果大,这一情况说明我们所得到的变形的非对称几何结构与真实的未知基态结构仍还有差异.同时我们还发现优化后的Rh_(13)团簇的价带宽度和交换劈裂都有一定程度的展宽和变大,态密度的峰值有远离费米能级向两侧移动的趋势.

负折射现象的研究进展

负折射现象是一种崭新的现象,是上个世纪60年代理论预言,直到一年前被实验证明微波照射在左手化媒质(LHM)上,折射方向不同于Snell定律所描述的。介绍了这种负折射现象研究的最新发展。着重于LHM的人工合成,理论解释以及负折射率的实验证明等几个方面,以便进一步开展这方面的工作。