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利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)
被引量:
3
1
作者
金奉柱
崔瑩石
+4 位作者
劉聖烈
張炳鉉
柳在一
李禹奉
李貞
烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期409-413,共5页
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀...
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。
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关键词
TFT—LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
下载PDF
职称材料
用Al或Mo /Al /Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法(英文)
被引量:
2
2
作者
劉聖烈
崔螢石
+3 位作者
金奉柱
柳在一
李禹奉
李貞
烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期501-505,共5页
为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果...
为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。
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关键词
液晶显示器
腐蚀
Al
Mo/Al/Mo
等离子体处理
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职称材料
获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)
3
作者
宋泳锡
劉聖烈
+3 位作者
柳在一
張炳鉉
李禹奉
李貞
烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期447-450,共4页
为了获得更高性能的TFT—LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的...
为了获得更高性能的TFT—LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20%~25oA。在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小。
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关键词
TFT—LCD
光刻
通孔图形
尺寸
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职称材料
认证·反思——天坛的回音:对中国首批国际注册管理咨询师认证的一些回想
4
作者
Reels
刘圣
烈
《科技智囊》
2005年第E03期32-35,共4页
1月20日清晨,我们抵达北京之后就几乎马不停蹄地为CMC认证忙碌。24日中午,聆听完了第32位CMC考员的陈述答辩之后.我们终于有了空闲,于是便从友谊宾馆驱车直达天坛公园,打算置身在一个典型中国庙宇建筑群和传统园林环境里,细数我...
1月20日清晨,我们抵达北京之后就几乎马不停蹄地为CMC认证忙碌。24日中午,聆听完了第32位CMC考员的陈述答辩之后.我们终于有了空闲,于是便从友谊宾馆驱车直达天坛公园,打算置身在一个典型中国庙宇建筑群和传统园林环境里,细数我们所见所闻.回想与反思一番。
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关键词
中国
北京
管理咨询
认证
国际注册
庙宇
反思
天坛
答辩
中午
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职称材料
题名
利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)
被引量:
3
1
作者
金奉柱
崔瑩石
劉聖烈
張炳鉉
柳在一
李禹奉
李貞
烈
机构
京东方科技集团股份有限公司中央研究院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期409-413,共5页
基金
Supported by Key Itemof Beijing Scientific and Technical Project(No . D0304002)
文摘
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。
关键词
TFT—LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
Keywords
TFT-LCD
aperture ratio
etching
CF4 plasma
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用Al或Mo /Al /Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法(英文)
被引量:
2
2
作者
劉聖烈
崔螢石
金奉柱
柳在一
李禹奉
李貞
烈
机构
京东方科技集团股份有限公司中央研究院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期501-505,共5页
基金
Supported by Key Itemof Beijing Scientific and Technical Project(No .D0304002)
文摘
为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。
关键词
液晶显示器
腐蚀
Al
Mo/Al/Mo
等离子体处理
Keywords
LCD
corrosion
Al, Mo/Al/Mo : olasma treatment
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)
3
作者
宋泳锡
劉聖烈
柳在一
張炳鉉
李禹奉
李貞
烈
机构
京东方科技集团股份有限公司中央研究院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期447-450,共4页
文摘
为了获得更高性能的TFT—LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20%~25oA。在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小。
关键词
TFT—LCD
光刻
通孔图形
尺寸
Keywords
TFT-LCD
photolithography
via hole image
size
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
认证·反思——天坛的回音:对中国首批国际注册管理咨询师认证的一些回想
4
作者
Reels
刘圣
烈
机构
ICMCI副主席
ICMCI中国区特派员
出处
《科技智囊》
2005年第E03期32-35,共4页
文摘
1月20日清晨,我们抵达北京之后就几乎马不停蹄地为CMC认证忙碌。24日中午,聆听完了第32位CMC考员的陈述答辩之后.我们终于有了空闲,于是便从友谊宾馆驱车直达天坛公园,打算置身在一个典型中国庙宇建筑群和传统园林环境里,细数我们所见所闻.回想与反思一番。
关键词
中国
北京
管理咨询
认证
国际注册
庙宇
反思
天坛
答辩
中午
分类号
G812 [文化科学—体育学]
F832 [经济管理—金融学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)
金奉柱
崔瑩石
劉聖烈
張炳鉉
柳在一
李禹奉
李貞
烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
下载PDF
职称材料
2
用Al或Mo /Al /Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法(英文)
劉聖烈
崔螢石
金奉柱
柳在一
李禹奉
李貞
烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
下载PDF
职称材料
3
获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)
宋泳锡
劉聖烈
柳在一
張炳鉉
李禹奉
李貞
烈
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
4
认证·反思——天坛的回音:对中国首批国际注册管理咨询师认证的一些回想
Reels
刘圣
烈
《科技智囊》
2005
0
下载PDF
职称材料
已选择
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