利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文)

为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。

用Al或Mo /Al /Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法(英文)

为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。

获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)

为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺，而不需要改变Eop和显影时间，就可以将通孔图形的尺寸减小20％～25oA。在后续的刻蚀工艺中，通孔的尺寸能显著减小。

认证·反思——天坛的回音：对中国首批国际注册管理咨询师认证的一些回想

1月20日清晨，我们抵达北京之后就几乎马不停蹄地为CMC认证忙碌。24日中午，聆听完了第32位CMC考员的陈述答辩之后．我们终于有了空闲，于是便从友谊宾馆驱车直达天坛公园，打算置身在一个典型中国庙宇建筑群和传统园林环境里，细数我们所见所闻．回想与反思一番。