1
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用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计 |
劳燕锋
吴惠桢
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《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
3
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2
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直接键合微腔结构的光谱特性 |
劳燕锋
吴惠桢
黄占超
刘成
曹萌
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
|
3
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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 |
劳燕锋
曹春芳
吴惠桢
曹萌
刘成
谢正生
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2008 |
0 |
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4
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ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤 |
曹萌
吴惠桢
劳燕锋
黄占超
刘成
张军
江山
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
3
|
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5
|
离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响 |
刘成
曹春芳
劳燕锋
曹萌
吴惠桢
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2008 |
3
|
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6
|
掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用 |
刘成
吴惠桢
劳燕锋
黄占超
曹萌
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
3
|
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7
|
长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺 |
刘成
曹春芳
劳燕锋
曹萌
吴惠桢
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《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
2
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8
|
低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用 |
谢正生
吴惠桢
劳燕锋
刘成
曹萌
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《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
1
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9
|
GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征 |
谢正生
吴惠桢
劳燕锋
刘成
曹萌
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《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
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10
|
InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究 |
黄占超
吴惠桢
劳燕锋
刘成
曹萌
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
0 |
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11
|
干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响 |
曹萌
吴惠桢
劳燕锋
刘成
谢正生
曹春芳
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
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12
|
宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管 |
吴惠桢
梁军
劳燕锋
余萍
徐天宁
邱东江
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
0 |
|
13
|
Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性 |
王擎雷
吴惠桢
斯剑霄
徐天宁
夏明龙
谢正生
劳燕锋
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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14
|
立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性 |
吴惠桢
梁军
劳燕锋
陈乃波
徐天宁
邱东江
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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15
|
离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用 |
刘成
曹春芳
劳燕锋
曹萌
谢正生
吴惠桢
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
|
16
|
AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用 |
刘成
曹春芳
劳燕锋
曹萌
吴惠桢
|
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
0 |
|
17
|
侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用 |
刘成
曹春芳
劳燕锋
吴惠桢
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2011 |
0 |
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18
|
1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性 |
吴惠桢
黄占超
劳燕锋
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
0 |
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19
|
离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理 |
吴惠桢
曹萌
劳燕锋
刘成
谢正生
曹春芳
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《功能材料信息》
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2006 |
0 |
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20
|
掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用 |
吴惠桢
刘成
劳燕锋
黄占超
曹萌
|
《江西科学》
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2005 |
0 |
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