超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究

高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻率和迁移率进行表征)来表示高纯锗的纯度,(杂质)载流子浓度越低,纯度越高。为提高超高纯锗多晶材料的纯度,适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要,开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究。同时,进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程,以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺,使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到(12~13)N,载流子浓度<1×1011/cm2,电阻率>2×103Ω·cm,迁移率>1×104cm2/(V·s)。