CVD制备碳化硅膜层的工艺温度影响与性能

文章在工艺温度1150~1350℃区间对化学气相沉积(CVD)技术制备SiC薄膜的密度和硬度、沉积速率、膜层表面形貌、碳化硅微观结构,以及膜层和基体结合强度作了系统性探究,结果显示1250℃下膜层表面形貌光滑、膜层致密、与基体结合性能良好,膜层由β-SiC组成,并具有优良的硬度与导热性。