期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究
被引量:
1
1
作者
江忠永
丛宏林
+4 位作者
徐小明
包琦龙
张昊翔
罗军
赵超
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期292-296,共5页
介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN...
介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。
展开更多
关键词
金属有机化学气相沉积
氮化铝
预铺铝
硅衬底
生长模型
下载PDF
职称材料
面向高性能GaN基功率电子的器件物理研究
被引量:
3
2
作者
黄森
杨树
+6 位作者
唐智凯
化梦媛
王鑫华
魏珂
包琦龙
刘新宇
陈敬
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2016年第10期84-99,共16页
氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最佳候选之一.本文从界面态起源、极化能带工程以及可靠性机理等角度分析了GaN基功率电子器件所面临的器件...
氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最佳候选之一.本文从界面态起源、极化能带工程以及可靠性机理等角度分析了GaN基功率电子器件所面临的器件物理挑战,包括栅极阈值不稳定性、高压动态导通电阻退化、高阈值栅技术和栅介质长期可靠性等关键科学问题和技术瓶颈.分析指出(Al)GaN表面的无序氧化可能是GaN基器件表/界面态的主要来源,并有针对性地介绍了界面氮化插入层、极性等离子增强原子层沉积AlN薄膜(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited AlN,PEALD-AlN)钝化、F离子注入与高温栅槽刻蚀增强型技术,以及低压化学气相沉积SiNx(Low-Pressure Chemical Vapor Deposited SiNx,LPCVD-SiNx)和O3-Al2O3高绝缘栅介质等提高GaN基增强型器件性能的新型工艺技术.系统分析了国际有关高性能GaN功率电子器件研究的最新进展,及未来面临的机遇和挑战.
展开更多
关键词
氮化镓
功率电子器件
界面态
动态导通电阻
增强型
栅介质
可靠性
原文传递
题名
Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究
被引量:
1
1
作者
江忠永
丛宏林
徐小明
包琦龙
张昊翔
罗军
赵超
机构
杭州士兰明芯科技有限公司
中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期292-296,共5页
文摘
介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。
关键词
金属有机化学气相沉积
氮化铝
预铺铝
硅衬底
生长模型
Keywords
metallic organic chemical vapor deposition (MOCVD)
A1N
A1 preseeding
Si substrate
growth model
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
面向高性能GaN基功率电子的器件物理研究
被引量:
3
2
作者
黄森
杨树
唐智凯
化梦媛
王鑫华
魏珂
包琦龙
刘新宇
陈敬
机构
中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室
香港科技大学电子及计算机工程学系
出处
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2016年第10期84-99,共16页
基金
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金
国家自然科学基金(编号:61474138
+5 种基金
61534007
61527816
61404163)
香港研究资助局优配研究项目(编号:611512
16207115)
香港创新科技基金项目(编号:ITS/192/14FP)资助
文摘
氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最佳候选之一.本文从界面态起源、极化能带工程以及可靠性机理等角度分析了GaN基功率电子器件所面临的器件物理挑战,包括栅极阈值不稳定性、高压动态导通电阻退化、高阈值栅技术和栅介质长期可靠性等关键科学问题和技术瓶颈.分析指出(Al)GaN表面的无序氧化可能是GaN基器件表/界面态的主要来源,并有针对性地介绍了界面氮化插入层、极性等离子增强原子层沉积AlN薄膜(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited AlN,PEALD-AlN)钝化、F离子注入与高温栅槽刻蚀增强型技术,以及低压化学气相沉积SiNx(Low-Pressure Chemical Vapor Deposited SiNx,LPCVD-SiNx)和O3-Al2O3高绝缘栅介质等提高GaN基增强型器件性能的新型工艺技术.系统分析了国际有关高性能GaN功率电子器件研究的最新进展,及未来面临的机遇和挑战.
关键词
氮化镓
功率电子器件
界面态
动态导通电阻
增强型
栅介质
可靠性
Keywords
gallium nitride
power devices
interface states
dynamic ON-resistance
enhancement-mode
gate dielectric
reliability
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究
江忠永
丛宏林
徐小明
包琦龙
张昊翔
罗军
赵超
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
2
面向高性能GaN基功率电子的器件物理研究
黄森
杨树
唐智凯
化梦媛
王鑫华
魏珂
包琦龙
刘新宇
陈敬
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2016
3
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部