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用椭偏法研究掺磷a-Si∶H薄膜的光学特性
被引量:
5
1
作者
匡跃军
李伟
+4 位作者
廖乃镘
蒋亚东
宋震
黄清海
祁康成
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期829-832,共4页
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜。分别以50°和70°为入射角,测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱,得到了其膜厚和光学常数谱(折射率和消光系数随波长变化谱),并应用T...
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜。分别以50°和70°为入射角,测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱,得到了其膜厚和光学常数谱(折射率和消光系数随波长变化谱),并应用Tauc作图法推算出了薄膜的光学带隙。
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关键词
椭偏法
掺磷a-Si:H薄膜
光学常数
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职称材料
氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展
被引量:
12
2
作者
廖乃镘
李伟
+3 位作者
蒋亚东
匡跃军
李世彬
吴志明
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期21-24,共4页
氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,...
氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。
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关键词
氢化非晶硅
稳定性
光致衰退效应
物理模型
稳定化处理
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职称材料
掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究
被引量:
3
3
作者
史磊
李伟
+2 位作者
匡跃军
廖乃镘
蒋亚东
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期80-82,103,共4页
用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a...
用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a-Si∶H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低。
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关键词
等离子体增强化学气相沉积
掺磷非晶硅薄膜
电阻率
电阻温度系数
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职称材料
椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数
被引量:
9
4
作者
廖乃镘
李伟
+4 位作者
蒋亚东
匡跃军
祁康成
李世彬
吴志明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期1542-1547,共6页
针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前气体温度Tg的影响....
针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前气体温度Tg的影响.研究表明,用椭偏透射法测量的a-Si:H薄膜厚度值与扫描电镜(SEM)测得的值相当,推导得到的光学参数与其他研究者得到的结果一致.该方法可用于生长在透明基片上的其他非晶或多晶薄膜.
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关键词
椭偏测量
透射法
光学参数
氢化非晶硅薄膜
原文传递
氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征
5
作者
廖乃镘
李伟
+4 位作者
蒋亚东
吴志明
匡跃军
祁康成
李世彬
《中国科学(E辑)》
CSCD
北大核心
2008年第11期1886-1890,共5页
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温...
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K,a-Si:H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级.a-Si:H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因.
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关键词
氢化非晶硅
等离子体增强化学气相沉积
喇曼散射
椭偏测量法
原文传递
题名
用椭偏法研究掺磷a-Si∶H薄膜的光学特性
被引量:
5
1
作者
匡跃军
李伟
廖乃镘
蒋亚东
宋震
黄清海
祁康成
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
电子科技大学光电信息学院
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期829-832,共4页
文摘
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜。分别以50°和70°为入射角,测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱,得到了其膜厚和光学常数谱(折射率和消光系数随波长变化谱),并应用Tauc作图法推算出了薄膜的光学带隙。
关键词
椭偏法
掺磷a-Si:H薄膜
光学常数
Keywords
spectroscopic ellipsometry
P-doped a-Si : H thin film
optical constant
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展
被引量:
12
2
作者
廖乃镘
李伟
蒋亚东
匡跃军
李世彬
吴志明
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期21-24,共4页
文摘
氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。
关键词
氢化非晶硅
稳定性
光致衰退效应
物理模型
稳定化处理
Keywords
a-Si : H, stability, light-induced degeneration, physical model, stabilization treatment
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究
被引量:
3
3
作者
史磊
李伟
匡跃军
廖乃镘
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期80-82,103,共4页
文摘
用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a-Si∶H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低。
关键词
等离子体增强化学气相沉积
掺磷非晶硅薄膜
电阻率
电阻温度系数
Keywords
PECVD
P-doped a-Si∶H thin films
resistivity
TCR
分类号
TN302 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数
被引量:
9
4
作者
廖乃镘
李伟
蒋亚东
匡跃军
祁康成
李世彬
吴志明
机构
电子科技大学
电子科技大学
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期1542-1547,共6页
文摘
针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前气体温度Tg的影响.研究表明,用椭偏透射法测量的a-Si:H薄膜厚度值与扫描电镜(SEM)测得的值相当,推导得到的光学参数与其他研究者得到的结果一致.该方法可用于生长在透明基片上的其他非晶或多晶薄膜.
关键词
椭偏测量
透射法
光学参数
氢化非晶硅薄膜
Keywords
ellipsometry, transmittance, optical constants, hydrogenated amorphous silicon thin films
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
原文传递
题名
氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征
5
作者
廖乃镘
李伟
蒋亚东
吴志明
匡跃军
祁康成
李世彬
机构
电子薄膜与集成器件国家重点实验室
电子科技大学光电信息学院
出处
《中国科学(E辑)》
CSCD
北大核心
2008年第11期1886-1890,共5页
基金
国家杰出青年基金(批准号:60425101)
总装备部预研基金(批准号:06DZ02)资助项目
文摘
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K,a-Si:H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级.a-Si:H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因.
关键词
氢化非晶硅
等离子体增强化学气相沉积
喇曼散射
椭偏测量法
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用椭偏法研究掺磷a-Si∶H薄膜的光学特性
匡跃军
李伟
廖乃镘
蒋亚东
宋震
黄清海
祁康成
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
下载PDF
职称材料
2
氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展
廖乃镘
李伟
蒋亚东
匡跃军
李世彬
吴志明
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
12
下载PDF
职称材料
3
掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究
史磊
李伟
匡跃军
廖乃镘
蒋亚东
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
下载PDF
职称材料
4
椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数
廖乃镘
李伟
蒋亚东
匡跃军
祁康成
李世彬
吴志明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
9
原文传递
5
氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征
廖乃镘
李伟
蒋亚东
吴志明
匡跃军
祁康成
李世彬
《中国科学(E辑)》
CSCD
北大核心
2008
0
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