碳化硅外延生长及其缺陷分析

本文从碳化硅同质外延生长原理及其缺陷分析的角度,介绍了碳化硅外延技术的最新研究情况。碳化硅外延生长主要使用台阶流动控制生长方法来得到高结晶质量以及厚度、掺杂浓度、缺陷密度都可控的碳化硅单晶薄膜层。外延生长阶段主要关注的缺陷有位错、堆垛层错、三角形、掉落物、彗星尾、胡萝卜等,这些缺陷对功率器件的性能和可靠性有着不同程度的影响。

碳化硅晶圆的清洗工艺研究

随着碳化硅功率芯片的线宽要求越来越高,污染物对晶圆和器件的影响也愈发突出,以致于洁净表面的清洗技术日益重要。本文借鉴传统的硅片清洗方法,开发了碳化硅晶圆的清洗工艺,并介绍了常用的晶圆清洗方法。其中湿法清洗占主流地位,湿法清洗工艺多采用RCA标准清洗法,配合一些基于物理的清洗方式如超声波、兆声波,流体射流、毛刷等,可满足大多数晶圆片的清洗要求。对于湿法清洗,常用清洗设备为槽式多片清洗机和单片清洗机等。掌握晶圆片清洗工艺技术是碳化硅晶圆产品开发中的关键环节。