高质量ZnSe单晶的研究

本文报道了以Ｉ２作输运剂，用化学气相沉积法生长ＺｎＳｅ单晶的实验结果，其生长条件为升华温度８５０～９００℃，生长管内温差１５～２０℃，温度梯度小于２℃／ｃｍ，并采用了特殊形状的生长管来控制原料的输运及生长速度。经过３０天左右的生长，得到了长３０ｍｍ，直径１５ｍｍ的桔黄色ＺｎＳｅ单晶。观察了晶体的表观形态和生长习性，并用Ｘ射线衍射技术测定了晶格常数为０．５６６７６ｎｍ，双晶衍射半峰宽为１７ｓ。用光学显微镜观察了晶体缺陷，腐蚀坑密度为（４～６）×１０４／ｃｍ２。对单晶的完整性和均匀性做了测试，并对晶体中的杂质进行了分析。实验结果表明，这种生长技术可以用来生长基底质量ＺｎＳｅ单晶。

掺杂改性TGS晶体的研究

本文根据TGS晶体结构与自发极化同的关系,阐述了用苯胺类有机物掺杂取代甘氨酸分子、无机酸取代硫酸分子及掺杂金属离子对TGS单晶生长及性能的影响。系统测定了它们的热电、介电等性能。实验结果表明利用三元无机酸H_3PO_4和H_3AsO_4部分取代硫酸并掺入少量L-丙氨酸培育出的双掺单畴晶体——ATGSP和ATGSAs,其热释电品质因数比TGS提高近一倍。并探讨了研究改性TGS晶体的主要途径。

快速生长的TGS晶体的介电、热释电性能

本文测量了生长速度为2mm/d 和7mm/d 的两种 TGS 晶体的介电常数(ε)、自发极化强度(P_s)和热释电系数(λ)随温度的变化关系。结果表明:生长速度快的晶体的介电常数增加,居里点附近的介电峰值降低,自发极化强度和热释电系数都增大,热释电优值与按正常速度生长的晶体的大致相同,最后从晶体缺陷的角度对实验结果进行了讨论。

一种新的红外非线性材料──CsGeCl_3

氧化物和黄铜矿类半导体化合物因其自身的固有性质使其在红外区域内的应用受到限制。而三氯锗铯（ＣｓＧｅＣｌ３）因透光范围宽，非线性系数高等性质开始受到重视［１］。本文作者采用改进方法成功合成ＣｓＧｅＣｌ３，并对其倍频效应，在不同溶剂中的结晶状况作了一些初步研究。实验结果表明，ＣｓＧｅＣｌ３是一种在红外区域内有应用前景的新材料。

TGS：Cr^（6＋）晶体的热释电性质及光折变效应

采用降温法生长出了ＴＧＳ：Ｃｒ￣（６＋）单晶。测定了晶体结构、光谱特性和热释电性质。研究表明，该晶体存在高的内偏压场和光折变效应。

红外非线性材料ZnGeP_2的研究(Ⅰ)——多晶料的合成

本文报告了红外非线性材料ＺｎＧｅＰ２多晶料的合成方法。该法是以元素态的磷、锗，锌为原料，通过直接化合的方法进行合成。合成的多晶料经比重测量和Ｘ射线粉末衍射测试证明与标准值一致。该法为ＺｎＧｅＰ２晶体生长的研究奠定了基础。

硝酸镧钕钾晶体的生长与性质

硝酸镧钾是近年来新发现的非线性光学晶体。我们已培育出了掺钕的硝酸镧钾晶体。本文将首次报道该晶体的生长特性、热学性质、光谱及非线性特性。它将是一种新的有实用价值的、可产生蓝绿光的频率转换材料。

铁电复合材料TGS-PVDF的介电和热释电性能的研究

制备了TGS-PVDF铁电复合材料,测量了该材料的介电常数、介质损耗和热释电系数,计算了该材料的热释电优值因子,并初步测试了由该材料制成的热释电探测器的性能。

快速生长的ATGS晶体的热释电性能

通过提高溶液稳定性和加强对流,改性 ATGS 晶体的生长速度已由1mm/d 提高到5mm/d。系统研究了快速生长晶体的热电、介电、铁电性能。发现快速生长的晶体质量良好,其热释电品质因数与慢速生长的晶体相同;而快速生长出的晶体中 L-丙氨酸含量高,具有很高的内偏压场和低的介质损耗。

铁电晶体TGS的快速生长

报道了TGS晶体的溶液状态及其快速生长的实验结果。发现了pH为2.52的溶液是实现快速生长的最佳溶液,利用快速旋转叶片来加速溶液对流,对于截面积为40mm×40 mm的(010)面,其生长速度达到了5mm/d,对快速生长的TGS晶体的性能研究表明:其热电和介电性能也发生了一些变化。

高质量ZnSe单晶的研究

高质量ＺｎＳｅ单晶的研究房昌水魏景谦吕孟凯顾庆天王从先卓洪升（山东大学晶体材料研究所，济南２５０１００）ＳｔｕｄｙｏｎＳｕｂｓｔｒａｔｅｑｕａｌｉｔｙＺｎＳｅＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＦａｎｇＣｈａｎｇｓｈｕｉＷｅｉＪｉｎｇｑｉａｎＬｕＭｅｎｇｋａ...

LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10^(-12)C/N。

红外非线性材料ZnGeP_2的研究——(1)多晶料的合成

红外非线性材料ＺｎＧｅＰ２的研究———（１）多晶料的合成卓洪升顾庆天房昌水（山东大学晶体材料研究所，济南２５０１００）ＳｔｕｄｙｏｎＩｎｆｒａｒｅｄＮｏｎｌｉｎｅａｒＭａｔｅｒｉａｌＺｎＧｅＰ２———（１）ＳｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆＺｎＧｅＰ２Ｐｏｌｙｃ...

K_2La_（0．9）Nd_（0．1）（NO_3）_5·2H_2O晶体的电学和电

首次测量了Ｋ２Ｌａ０．９Ｎｄ０．１（ＮＯ３）５·２Ｈ２Ｏ晶体的电导率、介电常数、压电常数和折射率、电光系数。研究了该晶体的电学性能与电光性能。

一种新的改性TGS晶体——UTGS

一种新的改性ＴＧＳ晶体———ＵＴＧＳ房利王民顾庆天卓洪升房昌水（山东大学晶体材料研究所，济南２５０１００）ＡＮｅｗＭｏｄｉｆｉｅｄＴＧＳ—ＵＴＧＳＣｒｙｓｔａｌＦａｎｇＬｉＷａｎｇＭｉｎＧｕＱｉｎｇｔｉａｎＺｈｕｏＨｏｎｇｓｈｅｎｇＦａｎｇＣｈａｎｇ...

不同溶剂对DCNP单晶生长的影响

不同溶剂对ＤＣＮＰ单晶生长的影响房利房昌水卓洪升（山东大学晶体材料研究所，济南２５０１００）ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅＤｉｆｅｒｅｎｔＳｏｌｖｅｎｔｓｏｎｔｈｅＧｒｏｗｔｈｏｆＤＣＮＰＣｒｙｓｔａｌｓＦａｎｇＬｉＦａｎｇＣｈａｎｇｓｈｕｉＺｈｕｏＨ...

快速生长的TGS晶体缺陷的X射线形貌术研究

本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由于晶体中缺陷密度的不同引起的。

新电光晶体DCNP的生长

本文报道了不同溶剂对ＤＣＮＰ晶体生长的影响，发现二甲基甲酰胺是一种好溶剂。利用降温法已生长出ＤＣＮＰ透明单晶。

新型铁电复合材料ATGS-PVDF的制备与性能

近年来人们对以硫酸三甘肽(TGS)单晶粉末和聚偏氟乙烯(PVDF)复合膜作为热释电材料进行了较多的研究,发现了颗粒尺寸、组分配比、成膜工艺对材料的性能有较大的影响.通过优化条件可以得到性能优良、有应用价值的新型热释电薄膜,但该类薄膜同TGS单晶一样不能锁定极化,工作温度不能超过TGS单晶的居里点(49°C),这将大大限制了其应用.我们用掺L丙氨酸的TGS(ATGS)单晶粉末替代TGS粉末同PVDF进行复合.