一种130～150 GHz毫米波低噪声放大器

基于65 nm CMOS工艺,设计了一种工作于130～150 GHz的毫米波低噪声放大器(LNA),它采用五级级联共源组态的拓扑结构。第一级电路采用最小噪声匹配,保证了放大器的噪声性能。后级电路采用最大增益匹配,保证电路具有较高的增益。对无源器件进行了结构优化,电感的品质因数在140 GHz处达到15以上。仿真结果表明,在1.2 V电源电压、0.45 V栅极偏置电压下,该LNA的直流功耗为54.1 mW。在130～150 GHz频带内,噪声系数小于7.5 dB,增益大于18 dB。芯片尺寸为0.5 mm×0.3 mm。该LNA有望被应用于D波段接收系统中。

一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器

基于65 nm CMOS工艺,设计了一种低相位噪声的压控振荡器。采用LC谐振回路,通过控制电压来改变电容的容值,达到振荡器输出频率可控的效果。仿真结果表明:在电源电压为1.2 V,控制电压在-3～3 V范围内变化时,振荡器的输出频率为139.4～149.3 GHz。振荡频率为140 GHz下,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc·Hz^(-1)。