掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。

InAsPSb/InAs中红外光电探测器

本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz^(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).

BGA/CSP/WLP生产和分析技术简介

前言随着手提式电器(移动电话、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、掌上电脑等)的迅猛发展,对 IC器件的小型化、轻量化和可靠性要求越来越高,同时对微电子封装技术的要求也越来越高。BGA、CSP、WLP

日本激光系统增长处于领先地位

据最近Prognos公司的调查表明,2000年全球激光市场总销售额将达28亿美元(1989年为9.8亿美元),每年增加14%。日本的激光应用及生产都将保持领先地位。在激光材料加工设备方面。