硅太阳能电池铝背场P~＋层的模拟优化

针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征。结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5～7μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018～9×1018cm-3,当掺杂浓度大于5×1019cm-3,P+层最佳深度将小于1μm。

塔里木盆地棉花耐盐函数的试验研究

根据塔里木盆地绿洲区三处试验点棉花耐盐试验观测资料,应用spss for windows统计软件进行分析,建立了两种形式的棉花耐盐函数:线性分段式和非线性-S型。通过对它们进行分析比较,得出型函数及由其推得的棉花耐盐阈值更符合该地区产量-土壤盐分的响应关系。

退火温度对富硅氮化硅薄膜发光特性和结构的影响

采用直流等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在(100)单晶硅片表面生长富硅氮化硅薄膜,研究了不同的退火温度对氮化硅薄膜发光性质和结构的影响。研究发现,随着退火温度的升高,氮化硅薄膜的发光强度逐渐减弱,发光是由缺陷能级引起的,在900℃时荧光基本消失。XPS测试表明,在N2氛围900℃下退火,氮化硅薄膜中未有硅相析出,故未表现出硅量子点的发光。FTIR测试也为PL结论提供了一定的证据。

高漏压低栅压条件下N型MOSFET热载流子注入效应研究

本文研究了N型MOSFET在高漏压低栅压条件下的热载流子注入效应。在3.3V N型MOSFET的漏端和栅极上分别加上5.5V和0.65V电压,发现在电应力条件下的漏端电流Id随着施加应力的时间增加而增大。导致这个现象的主要机制是漏端附近氧化层中产生了带正电荷的缺陷。另外还发现,在栅极施加反方向电压,漏端电流Id并不能发生恢复。但是125℃烘烤8小时后,漏端电流Id会发生恢复,表明空穴在加热时得到足够的能量而从缺陷陷阱中跃迁出来。此外,本文在通过研究工艺改进来提升HCI的性能中,发现在合适的氮化硅退火温度和轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)掺杂浓度能有效的降低NMOSFET空穴注入。

Zn_(1-x)Mn_xO纳米薄膜磁有序性的Monte Carlo模拟

基于Zn1-xMnxO纳米薄膜磁性研究的实验结果及相关理论,建立了一个包含多种交换作用的Ising多层膜模型,采用MonteCarlo模拟的Metropolis算法对于其铁磁序的成因进行了模拟研究.结果表明,Mn掺杂浓度(x)越低越有利于铁磁序的形成,但是x越低,系统的磁化强度越小,居里温度越低.载流子对铁磁序的形成所起的调节作用随着x的增大而增强,又随着磁各向异性常数(K)的增大而弱化.本研究预测了K的增大有利于铁磁序的形成,并能提高居里温度.