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晶体管用溅射靶材料的研究
1
作者
李义陵
冯金生
+3 位作者
杨延生
卜家威
王志浩
程莺
《上海金属(有色分册)》
1992年第4期30-36,共7页
介绍了S—1240数字程控交换机中晶体管集成电路用金属化磁控溅射膜材料。分析了成膜材料的组成及杂质元素等对集成电路性能的影响。简述了VLSI及ULSI用金属化膜材的发展趋势。
关键词
电阻材料
溅射靶
薄膜
晶体管
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职称材料
题名
晶体管用溅射靶材料的研究
1
作者
李义陵
冯金生
杨延生
卜家威
王志浩
程莺
机构
上海有色金属研究所
出处
《上海金属(有色分册)》
1992年第4期30-36,共7页
文摘
介绍了S—1240数字程控交换机中晶体管集成电路用金属化磁控溅射膜材料。分析了成膜材料的组成及杂质元素等对集成电路性能的影响。简述了VLSI及ULSI用金属化膜材的发展趋势。
关键词
电阻材料
溅射靶
薄膜
晶体管
Keywords
Resistor material, Sputtering target, Film
分类号
TN320.592 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
晶体管用溅射靶材料的研究
李义陵
冯金生
杨延生
卜家威
王志浩
程莺
《上海金属(有色分册)》
1992
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