期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
一种低暗计数率P-I-N结构的单光子雪崩二极管探测器
1
作者
李峥
刘丹璐
+2 位作者
董杰
卞大井
徐跃
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期25-30,共6页
基于180 nm BCD工艺制备出一种P型注入增强型P-I-N结构的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器。采用P型漂移区与高压N+埋层之间的低掺杂浓度P型外延层作为I层深结雪崩区,提高了近红外波段的光子探测概率(PDP)。利用低掺杂浓度的P型外延层作为...
基于180 nm BCD工艺制备出一种P型注入增强型P-I-N结构的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器。采用P型漂移区与高压N+埋层之间的低掺杂浓度P型外延层作为I层深结雪崩区,提高了近红外波段的光子探测概率(PDP)。利用低掺杂浓度的P型外延层作为虚拟保护环,防止了器件横向击穿,降低了暗计数率(DCR)。测试结果表明,虚拟保护环宽度(GRW)为5μm时,器件雪崩电压为56 V。在5 V过偏压下600 nm处的峰值PDP为41%,在901 nm的近红外波段下PDP大于6%,DCR为0.56 s^(-1)·μm^(-2),后脉冲率小于1.2%,表现出良好的电学和光学特性。所提出的SPAD器件为硅基高灵敏度近红外单光子探测器设计提供了一种可选的解决方案。
展开更多
关键词
探测器
单光子雪崩二极管(SPAD)
P-I-N结构
光子探测概率(PDP)
暗计数率(DCR)
原文传递
题名
一种低暗计数率P-I-N结构的单光子雪崩二极管探测器
1
作者
李峥
刘丹璐
董杰
卞大井
徐跃
机构
南京邮电大学集成电路科学与工程学院
射频集成与微组装技术国家地方联合实验室
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期25-30,共6页
基金
国家自然科学基金(62171233)
核探测与核电子学国家重点实验室资助项目(SKLPDE-KF-202307)。
文摘
基于180 nm BCD工艺制备出一种P型注入增强型P-I-N结构的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器。采用P型漂移区与高压N+埋层之间的低掺杂浓度P型外延层作为I层深结雪崩区,提高了近红外波段的光子探测概率(PDP)。利用低掺杂浓度的P型外延层作为虚拟保护环,防止了器件横向击穿,降低了暗计数率(DCR)。测试结果表明,虚拟保护环宽度(GRW)为5μm时,器件雪崩电压为56 V。在5 V过偏压下600 nm处的峰值PDP为41%,在901 nm的近红外波段下PDP大于6%,DCR为0.56 s^(-1)·μm^(-2),后脉冲率小于1.2%,表现出良好的电学和光学特性。所提出的SPAD器件为硅基高灵敏度近红外单光子探测器设计提供了一种可选的解决方案。
关键词
探测器
单光子雪崩二极管(SPAD)
P-I-N结构
光子探测概率(PDP)
暗计数率(DCR)
Keywords
detectors
single-photon avalanche diode(SPAD)
P-I-N structure
photon detection probability(PDP)
dark count rate(DCR)
分类号
TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低暗计数率P-I-N结构的单光子雪崩二极管探测器
李峥
刘丹璐
董杰
卞大井
徐跃
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部