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添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷介电性能的影响
1
作者
吉岸
刘祥峰
+1 位作者
袁纪烈
卞德东
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期5-7,共3页
采用传统固相反应法,制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,并添加质量分数为1%~6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃。对其显微结构和介电性能进行了研究。结果表明:在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃,可以使BNT...
采用传统固相反应法,制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,并添加质量分数为1%~6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃。对其显微结构和介电性能进行了研究。结果表明:在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃,可以使BNT陶瓷的烧结温度从1250℃以上降低到1150℃,并提高其介电性能。当添加质量分数为4%的MgLiSi玻璃时,BNT陶瓷可获得最佳的介电性能:εr=95,tanδ=5×10–4,击穿场强为16.7×103V/mm。
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关键词
无机非金属材料
BNT陶瓷
介电性能
击穿场强
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职称材料
题名
添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷介电性能的影响
1
作者
吉岸
刘祥峰
袁纪烈
卞德东
机构
同方股份有限公司
山东同方鲁颖电子有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期5-7,共3页
基金
国家"863"计划资助项目(No.2006AA03Z432)
文摘
采用传统固相反应法,制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,并添加质量分数为1%~6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃。对其显微结构和介电性能进行了研究。结果表明:在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃,可以使BNT陶瓷的烧结温度从1250℃以上降低到1150℃,并提高其介电性能。当添加质量分数为4%的MgLiSi玻璃时,BNT陶瓷可获得最佳的介电性能:εr=95,tanδ=5×10–4,击穿场强为16.7×103V/mm。
关键词
无机非金属材料
BNT陶瓷
介电性能
击穿场强
Keywords
non-metallic inorganic material
BNT ceramic
dielectric properties
breakdown field strength
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷介电性能的影响
吉岸
刘祥峰
袁纪烈
卞德东
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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