基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO

介绍了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因,提出了一些改进措施。对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值。

彩色液晶显示器件色差补偿优化

为了改善彩色液晶显示器件的色差,提升画面品质,针对(128,192,192)灰阶图形下色差的问题,对色差产生的机理进行了分析。模拟了RGB三色像素透过率对该图形下色差的影响。通过分别调整RGB彩膜膜厚,不仅相对调整了三色像素下的液晶盒层厚,而且还调整了三色像素的透过率,改善了RGB的Gamma曲线,对色差进行了补偿优化。实验结果表明,增加G像素和减小B像素的液晶盒层厚,对色差有明显补偿改善效果;同时,当RGB膜厚保持不变时,色差与液晶层厚呈正比关系,液晶层厚每减小1%时,色差约降低0.2。当RGB三色液晶盒层厚从(3.47,3.38,3.4)μm分别调整到(3.5,3.45,3.36)μm和(3.5,3.44,3.28)μm时,(128,192,192)灰阶图形下样品色差平均值从13.8分别降低到12.8和12。通过分别调整RGB彩膜膜厚,相对调整了三色像素下的液晶层盒厚和液晶量调节,可以一定程度优化补偿色差。

有机包裹的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的制备与表征

介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,并通过选择性沉淀可以得到单分散的半导体量子点;介绍了TEM,XRD,UVV-is吸收谱对纳米Ⅱ-Ⅵ族量子点的表征。

一种表面修饰的CdS量子点的合成与特征分析

用无机成核/有机包裹方法成功合成了3～4nm的CdS量子点;用巯基丙三醇(1t鄄hiogly鄄cerol)对CdS量子点进行了表面修饰;对CdS量子点进行了在水溶液中的分散性实验。

单分散性硫族化合物半导体量子点的制备与表征

硫族半导体化合物大多具有直接能带结构，是良好的光电功能材料，其量子点具有典型的量子效应。介绍了单分散量子点的无机成核／有机包裹的合成方法，通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点；TEM、XRD UV-Vis吸收谱对硫族量子点的表征。

OLED、柔性、透明化显示技术及有机发光材料的发展和挑战

OLED显示因符合未来显示技术发展的要求而引起越来越多的关注和重视,柔性及透明化显示是未来显示发展的趋势。综述了OLED、柔性、透明化显示技术发展历程,并对现状进行了分析,指出目前这些技术所面临的挑战及可能的解决途径。有机发光材料的发展是这些显示技术发展的基础,有机材料主要存在的问题包括载流子迁移率低、不稳定等,不利于其在显示技术的应用。

电场变化对有机磷光器件中激子形成影响的研究

激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3∶DCJTB(100∶2∶1 wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,器件2为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3(100∶2wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,研究了电场强度对单层多掺杂结构器件激子形成的影响。实验发现在多掺杂发光层中,随着电压的增加,Ir(ppy)3,PVK和DCJTB的发光均增强,PVK和DCJTB发光增强更快。对其发光机制进行分析,认为较高电场下,载流子获得较高能量,更容易形成高能量激子,产生宽禁带材料PVK的发光;另一方面,从能级结构分析DCJTB的带隙较窄,俘获更多的载流子发光更强。同时,在器件的电致发光(EL)光谱发现在460 nm处一新的发射峰,发光随着电压的增大相对减弱。为了研究460nm发光的来源,制备了器件:ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶BCP∶Ir(ppy)3(x∶y∶2 wt)/Alq3(15 nm)/Al,改变x,y的比值研究发现,460 nm处的发光依然存在,推测此发光峰应与PVK及BCP之间有关。

TFT-LCD发粉不良改善及机理分析

广色域、低功耗TFT-LCD在高温高湿运行测试时容易发生周边发粉不良,严重影响器件的视觉效果。本文研究了不同成分的绿色色阻、有源层与平坦层材料制成的微型液晶盒与TFT-LCD在光照、高温与高湿环境中的透过率变化情况,以及周边发粉的起始时间,明确发粉不良的根本原因为绿色色阻中的非金属配合物分子结构的Y颜料,且不良程度与产品边框、有源层与平坦层材料吸水率相关。通过使用高疏水性、高硬化度的绿色色阻材料与低吸水率的平坦层材料,在不损失TFT-LCD透过率的前提下,有效改善了TFT-LCD发粉不良,实现a-Si产品高温高湿运行测试(THO)运行1000 h以上,a-IGZO产品运行500 h以上不产生发粉不良,并建立TFT-LCD显色核心的RGB色阻材料的成分管理基准,搭建发粉不良的生产线与实验室评价体系。