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基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究
1
作者
王雨桐
方园
+6 位作者
林勇
薛昊东
汪璐
陈艳
卢军廷
郑俊平
李明
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期222-224,共3页
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35G...
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35GHz,输入功率0dBm情况下,在输出频率96-105GHz频段内,该四通道发射前端芯片输出功率大于6.5dBm,输入电压驻波比小于1.6:1,输出电压驻波比小于2.5:1。其中,电路为5V和-5V供电;开关控制电压为-5V/0V。芯片尺寸为5.90mm×2.15mm×0.07mm。
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关键词
GaAs
PHEMT
倍频器
功率放大器
单刀四掷开关
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职称材料
题名
基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究
1
作者
王雨桐
方园
林勇
薛昊东
汪璐
陈艳
卢军廷
郑俊平
李明
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期222-224,共3页
文摘
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35GHz,输入功率0dBm情况下,在输出频率96-105GHz频段内,该四通道发射前端芯片输出功率大于6.5dBm,输入电压驻波比小于1.6:1,输出电压驻波比小于2.5:1。其中,电路为5V和-5V供电;开关控制电压为-5V/0V。芯片尺寸为5.90mm×2.15mm×0.07mm。
关键词
GaAs
PHEMT
倍频器
功率放大器
单刀四掷开关
Keywords
GaAs PHEMT
Frequency Multiplier
Power Amplifier
SP4T
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究
王雨桐
方园
林勇
薛昊东
汪璐
陈艳
卢军廷
郑俊平
李明
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020
0
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