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Bi—JFET兼容工艺的探讨
1
作者
卢炽宝
《上海半导体》
1989年第2期37-40,共4页
关键词
Bi-JFET
掺杂
离子注入
兼容工艺
全文增补中
F007模拟集成电路的铝腐蚀失效及改进前后的分析对比
2
作者
茅有福
张蓓榕
+2 位作者
忻佩胜
刘耀民
卢炽宝
《华东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1990年第3期35-44,共10页
在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进...
在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进后产品的中位寿命比原产品约有一个数量级的提高。
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关键词
模拟集成电路
铝腐蚀
芯片粘接剂
下载PDF
职称材料
题名
Bi—JFET兼容工艺的探讨
1
作者
卢炽宝
出处
《上海半导体》
1989年第2期37-40,共4页
关键词
Bi-JFET
掺杂
离子注入
兼容工艺
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
全文增补中
题名
F007模拟集成电路的铝腐蚀失效及改进前后的分析对比
2
作者
茅有福
张蓓榕
忻佩胜
刘耀民
卢炽宝
机构
华东师大电子系
上海元件五厂
出处
《华东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1990年第3期35-44,共10页
文摘
在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进后产品的中位寿命比原产品约有一个数量级的提高。
关键词
模拟集成电路
铝腐蚀
芯片粘接剂
Keywords
aluminum corrosion failure
die adhesive
surface passivation
encapsulation environment
accelerated life test
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Bi—JFET兼容工艺的探讨
卢炽宝
《上海半导体》
1989
0
全文增补中
2
F007模拟集成电路的铝腐蚀失效及改进前后的分析对比
茅有福
张蓓榕
忻佩胜
刘耀民
卢炽宝
《华东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1990
0
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职称材料
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