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Bi—JFET兼容工艺的探讨
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作者 卢炽宝 《上海半导体》 1989年第2期37-40,共4页
关键词 Bi-JFET 掺杂 离子注入 兼容工艺
全文增补中
F007模拟集成电路的铝腐蚀失效及改进前后的分析对比
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作者 茅有福 张蓓榕 +2 位作者 忻佩胜 刘耀民 卢炽宝 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1990年第3期35-44,共10页
在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进... 在对铝腐蚀失效因素分析的基础上,针对工艺、材料、钝化、封装气氛等几方面提出措施,并在单项试验取得成效后,再应用于F007模拟集成电路的生产过程。经过加速寿命对比试验和对试验后样品的观察分析,表明铝腐蚀失效得到了有效防止,改进后产品的中位寿命比原产品约有一个数量级的提高。 展开更多
关键词 模拟集成电路 铝腐蚀 芯片粘接剂
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