线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型

通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。

适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长

通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。

AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究

通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和阶跃脉冲之间关系的分析,提出了用快电子与慢电子释放两种过程来解释表面态电子弛豫,并建立漏极电流响应过程拟合算式。拟合得到与快、慢电子释放相关的时间常数分别为τ1=0.23s、τ2=1.38s,且拟合曲线与实验结果的最大误差不超过测试值的3%。该研究结果有助于电流崩塌机理的进一步探索。

增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型

基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。

集装箱箱号字符的粗定位方法

提出了一种集装箱箱号字符粗定位方法。该方法利用了字符的固有特性和箱号字符的排列特性,先对图像进行边缘提取,过滤明显的非字符边缘,再利用数学形态学中的闭运算和开运算使字符区域粘连,对连通区域进行处理,剔除非字符区域,从而得到箱号字符的大概位置。

优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm,栅漏间距2μm的GaN HEMT器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47%。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。

GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨

基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与RS表征研究导致GaNHEMT电流崩塌的表面态变化。

微加速度计机械与电学一体化仿真模型

针对目前MEMS微加速度计机械和电路仿真各自脱节的现状,基于PSPICE软件,综合了敏感质量块机械、偏置电压静电力和接口电路3部分,提出了机械与电学一体化仿真模型。模型实现了敏感质量块大位移情形仿真,突破了已有仿真模型对该质量块的中点小位移近似。利用该模型,得到大位移情况下加速度计能承受的最大阶跃和脉冲加速度信号值,经过与经典理论公式比较,误差小于3%。进一步,通过在不同偏置电压开环模式下灵敏度仿真与实验值的比较,当敏感质量块处于小位移状态时,误差小于5%;处于大位移状态,小于10%。因此,仿真模型与经典理论公式以及实验值比较接近,可应用于微加速度计的仿真和物理过程再现,从而有助于该类微机械电子器件的进一步研究。

GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应

采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种稳态。该稳态是包含了陷阱俘获与释放过程的动态平衡态。

AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究

通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。

栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真

利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。同时还发现,电子温度与电场方向和电子电流方向密切相关,电子温度的最高点并不在电场的极大值处,而是在电场方向与电子电流方向一致之处。

基于校企合作的“课岗证创赛”融合育人模式探索与实践

校企合作是职业教育培养高技能人才的必由之路。当前,校企合作培养人才主要面临学校期望与企业理念不一致、缺乏有效的合作方式和载体、校企人才资源共享不足、课程教授与岗位实习未能有效衔接等困境。基于符合当下职业教育政策导向、迎合培养高技能人才的需要、体现职业教育类型特征、推动职业院校高质量发展的逻辑,校企合作探索构建了“课岗证创赛”融合育人模式,该模式的实践路径为:以专业课程建设为核心、以课程岗位适应为目标、以参与职业认证为引领、以创新创业提优为手段、以国家技能大赛为标杆。

钼缓冲层对SiC功率器件封装可靠性的影响

采用有限元分析方法,对有无钼缓冲层的两种封装结构进行了热循环和稳态热机械可靠性对比研究。结果表明,在封装中加入钼缓冲层后对芯片的金属化层的影响较小,但使碳化硅芯片的等效应力降低了60.2%,芯片焊料层的等效应力降低了46.28%,同时芯片焊料层的疲劳寿命增加了约1380倍。进一步用响应面法(RSM)分析了钼缓冲层的尺寸对封装中各组件的应力和应变的影响,结果表明,钼缓冲层的直径接近芯片的对角线长度时,寿命最佳;增加缓冲层厚度可提升缓冲效果,但会降低底座焊料层寿命;钼缓冲层最优厚度为0.5~0.7 mm,对应的芯片焊料层寿命为2058771~1867470次循环,底座焊料层寿命为1026~1049次循环,分别为无钼缓冲层结构的2983~2706倍和1.49~1.52倍。在相同热功耗下,芯片焊料层应力和底座焊料层应力仍分别降低83.6%~85.1%和17.2%~15.1%。

登基

有那样一天,在一群温顺的国民间,一对华贵的男女,在大庭广众中高喊。“列位良友,我要她作王后!”“我愿作王后!”欣笑着,她浑身颤抖。他与诸友阔谈神灵启示,又把熬过的苦难追述。男女相偎依,如痴又如醉。

浅析船体结构焊接变形及其预防措施

本文利用金属焊接理论对船体建造过程中产生的各种变形进行分析,并结合实际提出切实可行的预防和控制变形的措施。

船体结构焊接常见缺陷及其对策

本文对船舶建造中,船体结构焊接所存在的焊缝缺陷进行汇总,从理论上分析了这些缺陷的成因,并提出了防范和纠正措施。

救生设备的检验要点及注意事项

本文论述了海船救生设备的检验要点,并根据作者的工作经验,对救生设备检验中常见的问题提出了纠正措施。

应用统计分析软件解决工序质量问题的研究——以整流管堵漏工序为例

针对整流管堵漏工序合格率较低的问题,研究了应用统计分析软件Minitab解决工序中的质量问题的方法与步骤,挖掘出了整流管制造过程中影响堵漏工序合格率的关键因素,并采取针对性措施,使合格率从57.4%提高到82.6%。该应用Minitab软件解决质量问题的方法,可以推广到各类生产制造过程中,具有一定的实用价值。

船舶舵杆轴承高度计算式浅探

对《钢质内河船舶入级与建造规范》(2002)中舵杆滑动轴承高度计算式进行推导和分析,对船检人员理解和执行规范有一定的参考意义。

论《波丽娜1880》的叙事结构及美学创新

论《波丽娜１８８０》的叙事结构及美学创新卢盛辉“哪怕春季战事重卷法兰西，尽管街道巷战正毒害着意大利，我只想腾出身来继续创作。”——皮埃尔·让·儒弗１９２１年４月２１日致罗曼·罗兰信。皮埃尔·让·儒弗（１８８７—１９７６）是法国２０世纪著名的诗人、小说...