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原子层沉积生长速率的控制研究进展 被引量:6
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作者 卢维尔 董亚斌 +2 位作者 李超波 夏洋 李楠 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期345-351,共7页
原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中... 原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。 展开更多
关键词 原子层沉积 生长速率 生长机制 位阻效应
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原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究 被引量:2
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作者 卢维尔 李超波 +3 位作者 夏洋 李楠 张艳清 赵丽莉 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2014年第2期255-259,共5页
采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制。当在锌源脉冲时施加正电压,氧源脉冲时施加负电压,... 采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行可控调制。当在锌源脉冲时施加正电压,氧源脉冲时施加负电压,制备得到了c轴择优取向的ZnO薄膜。电场对薄膜的调制机理为:当在腔室内施加电场时,极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用,使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速地向衬底运动,这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响,进而影响到制备所得薄膜的结构和性能。这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备提供了一条新的途径,有望制备出特定性能的薄膜材料。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 原子层沉积 可变电场 择优取向
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直流辉光放电对石墨烯氮掺杂的制备与特性
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作者 程嵩 卢维尔 +2 位作者 王桐 夏洋 李楠 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期539-546,共8页
在原子层沉积(ALD)的腔室内,采用直流辉光放电技术,以N2等离子体作为掺杂源制备了氮掺杂石墨烯,考察了电场方向和掺杂时间对石墨烯的掺杂特性影响。喇曼光谱和高分辨率X射线光电子能谱(XPS)测试表明,随着掺杂时间的延长,氮的掺杂量逐渐... 在原子层沉积(ALD)的腔室内,采用直流辉光放电技术,以N2等离子体作为掺杂源制备了氮掺杂石墨烯,考察了电场方向和掺杂时间对石墨烯的掺杂特性影响。喇曼光谱和高分辨率X射线光电子能谱(XPS)测试表明,随着掺杂时间的延长,氮的掺杂量逐渐提高,并且负电场较正电场具有更高的掺杂效率,在-800 V电场、N2等离子体掺杂2 h的条件下,石墨烯中氮与碳的原子比达到9.5%。同时,采用Comsol Multiphysics软件模拟了腔室内正负电场情况下的等离子体分布,结果表明电极盘为负电时,腔室内的放电区域更加发散,有利于掺杂离子与自由基到石墨烯表面的扩散。 展开更多
关键词 直流辉光放电 氮掺杂石墨烯 等离子体 多物理场耦合分析 原子层沉积(ALD)
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基于原子层沉积技术的高精度多层膜X射线菲涅尔波带片的制备研究 被引量:4
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作者 吴鹿杰 文庆涛 +5 位作者 高雅增 卢维尔 夏洋 李艳丽 孔祥东 韩立 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期156-164,共9页
基于原子层沉积与聚焦离子束切割抛光相结合的工艺,提出了一种多层膜型波带片制备技术。利用耦合波理论计算出最外环宽为10 nm的Al2O3/HfO2、Al2O3/SiO2、Al2O3/Ir和Al2O3/Ta2O5四种材料组合的多层膜波带片在X射线能量为8 keV和15 keV... 基于原子层沉积与聚焦离子束切割抛光相结合的工艺,提出了一种多层膜型波带片制备技术。利用耦合波理论计算出最外环宽为10 nm的Al2O3/HfO2、Al2O3/SiO2、Al2O3/Ir和Al2O3/Ta2O5四种材料组合的多层膜波带片在X射线能量为8 keV和15 keV时的菲涅尔波带片的理论衍射效率,讨论了最外环宽和波带片高度对衍射效率的影响,选择了Al2O3/HfO2为后续叠层制备。研究了原子层沉积制备Al2O3和HfO2薄膜的生长特性,验证了原子层沉积技术制备单层膜厚为10 nm叠层结构的可行性,实验结果表明,利用原子层沉积技术制备Al2O3和HfO2薄膜粗糙度可控在1 nm,均匀性优于±1.5%,单叠层厚度误差仅为0.416 nm.同时,利用聚焦离子束切割抛光技术得到了最外环宽为10 nm,高宽比200的高分辨率X射线菲涅尔波带片。 展开更多
关键词 菲涅尔波带片 原子层沉积 聚焦离子束 高分辨率 耦合波理论
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脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究 被引量:3
5
作者 彭明娣 卢维尔 +3 位作者 夏洋 王桐 赵丽莉 李楠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期105-109,共5页
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构... 采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 超导Nb金属薄膜 超导转变温度 超导性能 结晶特性
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集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制 被引量:2
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作者 杨胜 夏洋 +6 位作者 兰丽丽 陶晓俊 冯嘉恒 明帅强 卢维尔 屈芙蓉 刘涛 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1096-1102,共7页
运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的... 运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的机械手结构,实现了样品在高真空(5×10^-5 Pa)中传输,而且传输速度快(2~3 s),有效地减少污染,保证样品表面物性的稳定。设备可在全真空的环境下,实现多层纳米薄膜的制备,同时可以对薄膜生长实现原子层精度的控制。设备的磁控溅射工艺平台可以安装金属掩膜板,直接制备图形薄膜。另外设备具有非常灵活的扩展性,针对薄膜工艺需求的不同,可以集成其他的薄膜制备工艺单元。 展开更多
关键词 原子层沉积 磁控溅射 薄膜制备 集束型设备
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基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究 被引量:3
7
作者 明帅强 文庆涛 +3 位作者 高雅增 闫美菊 卢维尔 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期6042-6047,共6页
本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲时间等工艺条件对氧化钽薄膜的生长速率、粗糙度和表面形貌等特性的影响。通过椭偏仪、原子力显微镜、扫... 本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲时间等工艺条件对氧化钽薄膜的生长速率、粗糙度和表面形貌等特性的影响。通过椭偏仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜以及高分辨X射线光电子能谱测试分析表明,制备获得的氧化钽薄膜表面光滑,粗糙度小于1 nm,薄膜生长速率受工艺参数的影响较大,其中在乙醇钽源瓶温度170℃、脉冲时间0.1 s以及衬底温度200℃时,氧化钽的生长速率为0.253/cycle。本工作基于原子层沉积高性能氧化钽薄膜的工艺研究,将对氧化钽薄膜在介质材料、存储介质以及光学涂层等领域的应用奠定基础。 展开更多
关键词 原子层沉积 氧化钽薄膜 乙醇钽 生长速率 粗糙度
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PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术 被引量:1
8
作者 王胜涛 卢维尔 +1 位作者 王桐 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期230-233,共4页
石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的... 石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。 展开更多
关键词 石墨烯转移 聚乙烯醇(PVA) 残胶 铜刻蚀法 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撑膜
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原子层沉积法制备SnO_(2)薄膜及其对钙钛矿电池性能的影响 被引量:1
9
作者 明帅强 王浙加 +4 位作者 吴鹿杰 冯嘉恒 高雅增 卢维尔 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期122-127,共6页
本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO_(2)薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影... 本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO_(2)薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影响,采用钙钛矿太阳能电池器件辅助验证SnO_(2)薄膜的性能。研究发现,随着基底温度的升高,沉积速率逐渐下降,原子层沉积的温度窗口在120~250℃;折射率随着温度的升高逐渐增大,带隙随温度升高而减小;沉积温度越高,表面氧空位缺陷浓度越大。SnO_(2)薄膜的工艺温度对钙钛矿太阳能电池性能有较大影响,采用160℃沉积的SnO_(2)薄膜作钙钛矿太阳能电池的电子传输层,可获得最优的电池性能,反扫最高效率为18.68%,此时器件的截止电压为1.077 V,短路电流密度为23.67 mA/cm^(2),填充因子为73.3%,且器件具有较小的迟滞效应。 展开更多
关键词 原子层沉积 氧化锡薄膜 生长速率 氧空位 钙钛矿 太阳能电池
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化学气相沉积技术制备亚厘米尺寸单晶石墨烯的工艺研究 被引量:1
10
作者 王延伟 卢维尔 +1 位作者 闫美菊 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1-5,共5页
本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的... 本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的CH4浓度便于单晶石墨烯的生长,压强的大小影响单晶的形貌,生长时间决定了单晶的尺寸。通过对预处理气体及流量、生长压强和时间等参数的调节,获得了0. 01~6 mm单晶石墨烯的可靠制备工艺。在常压101. 325 k Pa、铜基底经Ar和O2预处理、生长温度1 068℃、600 sccm H2和25 sccm CH4的气体条件下,制备出6 mm的单晶石墨烯。此外,本实验还对石墨烯制备过程中杂质颗粒的形成机理进行了研究,发现引入的杂质颗粒可能是基底Cu氧化后的结晶颗粒以及石英管在高温条件下硅的脱落。本研究所得不同尺寸单晶石墨烯的可靠制备方法为新型电子器件的发展提供了有力的支撑。 展开更多
关键词 化学气相沉积 单晶石墨烯 大尺寸
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原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺 被引量:2
11
作者 张思敏 程嵩 +1 位作者 卢维尔 夏洋 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第9期605-609,633,共6页
采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级(10^(-3)~10~3Ω·cm)范围内变化的ZnO薄膜。采... 采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级(10^(-3)~10~3Ω·cm)范围内变化的ZnO薄膜。采用去离子水作氧源的T-ALD制备的ZnO薄膜载流子浓度高达10^(19)/cm^3量级,载流子迁移率较高,薄膜电阻率较低,适用于透明导电薄膜;采用氧等离子体作为氧源PEALD制备的薄膜载流子浓度达到10^(17)/cm^3量级,适用于薄膜晶体管。还讨论了不同生长工艺条件对薄膜晶型和表面形貌的影响。 展开更多
关键词 原子层沉积(ALD) ZNO薄膜 电学性质可调 晶型 表面形貌
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原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展
12
作者 张阳 张祥 +2 位作者 卢维尔 李超波 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期368-376,共9页
随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可... 随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备ZnO薄膜的主流方法。综述了ALD制备ZnO薄膜的反应机制、生长机制和掺杂方面的研究进展,针对当前ZnO薄膜p型掺杂的难点,指出了V族元素中的大半径原子(磷和砷等)掺杂有可能成为制备高质量、可重复和稳定的p型ZnO的潜力研究点,最后总结和展望了ALD制备ZnO薄膜的应用前景和研究趋势。 展开更多
关键词 原子层沉积(ALD) ZNO薄膜
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Characterization and application in XRF of HfO_(2)-coated glass monocapillary based on atomic layer deposition
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作者 李艳丽 王亚冰 +3 位作者 卢维尔 孔祥东 韩立 赵慧斌 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第5期297-301,共5页
Coating a glass monocapillary x-ray optics with high-density film is a promising way to improve transmission characteristics. For a long time, it has been a challenge to coat a high-density film in the inside of monoc... Coating a glass monocapillary x-ray optics with high-density film is a promising way to improve transmission characteristics. For a long time, it has been a challenge to coat a high-density film in the inside of monocapillary with an extremely high length-to-diameter ratio. In this work, Hf O2 film is deposited on the inner wall of a tapered glass monocapillary with length 9.9 cm, entrance diameter 596.4 μm, and exit diameter 402.3 μm by atomic layer deposition. The coated and uncoated monocapillaries are studied by the transmission process of x-rays with energy from 5 ke V to 100 ke V and the x-ray fluorescence(XRF) spectra of a Mo sample are detected. Improved transmission characteristics have been obtained for the Hf O2-coated monocapillary. The energy upper limit of focused x-rays increases from 18.1 ke V to 33.0 ke V and the ‘penetration halo’ is suppressed to some extent. The XRF spectrum presents two stronger peaks at ~ 17.4 ke V and~ 19.6 ke V which are considered as the characteristic x-rays of Mo Kα and Mo Kβ. These results reveal that more higher energy x-rays from the W x-ray tube are totally reflected on the inner wall of the Hf O2-coated glass monocapillary due to the increase of total reflection critical angle. This work is significant for more applications of monocapillary in higher energy x-ray field. 展开更多
关键词 x-ray optics monocapillary atomic layer deposition HfO_(2)film
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原子层沉积与聚焦离子束切片法制备X射线波带片 被引量:1
14
作者 谭明生 明帅强 +6 位作者 吴雨菲 卢维尔 李艳丽 孔祥东 刘海岗 夏洋 韩立 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期300-308,共9页
针对X射线波带片对大高宽比的应用需求,采用原子层沉积法在光滑的金属丝表面生长膜厚可高精度控制的多层膜环带结构,再利用聚焦离子束切片技术获得大高宽比的多层膜X射线波带片。采用复振幅叠加法设计了以Al2O3/HfO2分别为明环和暗环材... 针对X射线波带片对大高宽比的应用需求,采用原子层沉积法在光滑的金属丝表面生长膜厚可高精度控制的多层膜环带结构,再利用聚焦离子束切片技术获得大高宽比的多层膜X射线波带片。采用复振幅叠加法设计了以Al2O3/HfO2分别为明环和暗环材料的X射线波带片,实验上利用原子层沉积在直径为72μm的金丝表面交替沉积了10.11μm的Al2O3/HfO2多层膜,环带数为356,总直径为92.22μm,最外环宽度为25 nm。通过聚焦离子束切割得到高为1.08μm、高宽比达43∶1的X射线多层膜菲涅耳波带片。该波带片应用于上海光源(BL08U1A)软X射线成像线站时,在1.2 keV X射线下实现聚焦成像功能,展现出利用该技术制备多层膜X射线波带片的潜力。 展开更多
关键词 X射线菲涅耳波带片 原子层沉积 聚焦离子束 大高宽比 多层膜
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基于严格耦合波理论的硬X射线菲涅耳波带片设计 被引量:7
15
作者 高雅增 吴鹿杰 +6 位作者 卢维尔 刘虹遥 夏洋 赵丽莉 李艳丽 孔祥东 韩立 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期86-90,共5页
菲涅耳波带片(FZP)能实现光源聚焦,是硬X射线显微成像最重要的组成元件之一。分辨率与衍射效率是FZP最重要的两个参数,但在实际设计与制备中,两者往往难以同时兼顾。因此,提出了一种基于严格耦合波理论的硬X射线FZP设计方法。该方法在... 菲涅耳波带片(FZP)能实现光源聚焦,是硬X射线显微成像最重要的组成元件之一。分辨率与衍射效率是FZP最重要的两个参数,但在实际设计与制备中,两者往往难以同时兼顾。因此,提出了一种基于严格耦合波理论的硬X射线FZP设计方法。该方法在指定分辨率的基础上优化衍射效率,给出了硬X射线FZP组成材料、环带宽度、外径、厚度以及厚度控制精度等参数的优化值。同时考虑到材料色散的影响,给出了最优衍射效率随光源能量变化的分布情况,为显微成像中的光源选择提供了参考。 展开更多
关键词 成像系统 菲涅耳波带片 分辨率 衍射效率 严格耦合波 硬X射线
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原子层沉积法生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究 被引量:3
16
作者 董亚斌 夏洋 +5 位作者 李超波 卢维尔 饶志鹏 张阳 张祥 叶甜春 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第14期419-427,共9页
介绍了新型材料ZnO的各项性能,并采用原子层沉积方法制备新型材料ZnO.实验中采用二乙基锌(DEZn)和水作为生长ZnO的前驱体源,在蓝宝石衬底上生长ZnO;采用氮气作为载气,生长温度为180℃.通过改变在实验中的通入锌源的时间,探索不同的DEZn... 介绍了新型材料ZnO的各项性能,并采用原子层沉积方法制备新型材料ZnO.实验中采用二乙基锌(DEZn)和水作为生长ZnO的前驱体源,在蓝宝石衬底上生长ZnO;采用氮气作为载气,生长温度为180℃.通过改变在实验中的通入锌源的时间,探索不同的DEZn的源的量对薄膜的成分(Zn/O)、薄膜的厚度、生长速率、晶型、表面形貌、三维形貌以及粗糙度的影响. 展开更多
关键词 氧化锌 原子层沉积 ZN O
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利用表面等离激元成像检测化学气相沉积法生长石墨烯 被引量:5
17
作者 魏茹雪 王延伟 +7 位作者 江丽雯 孙旭晴 刘虹遥 王畅 路鑫超 卢维尔 夏洋 黄成军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期313-318,共6页
提出一种对化学气相沉积法生长石墨烯缺陷的快速检测方法。利用化学气相沉积法制备石墨烯并将其转移到目标基底上,制备出应用于表面等离激元(SPP)成像的石墨烯-金基底。SPP对界面处折射率变化具有高灵敏度,可以实现石墨烯边缘检测,并且... 提出一种对化学气相沉积法生长石墨烯缺陷的快速检测方法。利用化学气相沉积法制备石墨烯并将其转移到目标基底上,制备出应用于表面等离激元(SPP)成像的石墨烯-金基底。SPP对界面处折射率变化具有高灵敏度,可以实现石墨烯边缘检测,并且石墨烯表面缺陷会引起SPP作用场的变化,利用SPP泄漏辐射效应将界面处SPP作用场变化传输至远场,使用CCD进行快速成像,可实现对转移后石墨烯的快速成像与检测。该方法检测到石墨烯边缘与表面的形貌信息,并且检测到颗粒污染物,避免了传统的检测方法灵敏度低、速度慢、有损检测等弊端,实现了对石墨烯缺陷的快速、无损检测。 展开更多
关键词 表面光学 单晶石墨烯 表面等离激元成像 缺陷检测 快速无损检测
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Large area graphene produced via the assistance of surface modification
18
作者 张阳 窦伟 +4 位作者 罗巍 卢维尔 解婧 李超波 夏洋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第7期47-51,共5页
We develop a novel and convenient method to prepare large area single-layer and multi-layer graphene through surface modification with oxygen plasma.The obtained large area single-layer graphene is dozens of microns w... We develop a novel and convenient method to prepare large area single-layer and multi-layer graphene through surface modification with oxygen plasma.The obtained large area single-layer graphene is dozens of microns wide in the lateral dimension and characterized by optical microscopy,atomic force microscopy.Raman spectroscopy show multilayer graphene has less disorder density than single-layer graphene.X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) analysis shows that hydroxyl groups are formed on the HOPG surface during oxygen plasma pre-treatment.Hydrogen bonds develop between hydroxyl groups on HOPG surface and silanol groups on hydroxylated SiO_2/Si substrate,which facilitate the transfer process.This study may provide a potential approach to develop graphene-based devices by using the large area lithographic printing process. 展开更多
关键词 GRAPHENE HYDROGEN-BOND oxygen plasma hydroxyl groups
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