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脱氧核糖核酸变性和损伤的吸附伏安法研究 被引量:2
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作者 陆宗鹏 卢莠芬 刘建源 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期463-466,共4页
本文用汞电极(HMDE)二次导数阴极吸附伏安(SD-AdCSV)和碳电极(GCE、CPE)导数循环伏安(FD-CV)法研究了核酸受热、紫外线、超声波和丝裂霉素C(MMC)作用下的变性作用。在0.1mol/L(K2HPO4+KH2PO4)-0.1mol/LNaCl(pH7.0... 本文用汞电极(HMDE)二次导数阴极吸附伏安(SD-AdCSV)和碳电极(GCE、CPE)导数循环伏安(FD-CV)法研究了核酸受热、紫外线、超声波和丝裂霉素C(MMC)作用下的变性作用。在0.1mol/L(K2HPO4+KH2PO4)-0.1mol/LNaCl(pH7.0)废液中,吸附的单股(ss-)和双螺旋(ds-)DNA分别在HMDE上得到特征还原峰P3(-1.56V)和P2(-1.37V,vs.Ag/Agcl),和在碳电极之得到氧化峰A(+1.08V)及G(+0.78V)。物理和化学因素改变DNA的构型或使它变性时,反映在氧化还原峰形和参数有明显的变化。MMC优先结合ss-DNA,并能插入ds-DNA起交链作用。 展开更多
关键词 脱氧核糖核酸 变性 伏安法 导数测定
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