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掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能
被引量:
7
1
作者
李智敏
施建章
+4 位作者
卫晓黑
李培咸
黄云霞
李桂芳
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第23期410-415,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数.结果表明:Al掺杂后,Fermi能级进入价带,带隙宽度略为加宽,在8.2—12.4 GHz范围内介电常数大幅度增大.利用燃烧合成法制备...
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数.结果表明:Al掺杂后,Fermi能级进入价带,带隙宽度略为加宽,在8.2—12.4 GHz范围内介电常数大幅度增大.利用燃烧合成法制备了Al掺杂的3C-SiC粉体吸收剂,通过矢量网络分析仪测试了样品在8.2—12.4 GHz范围内的微波介电常数,验证了理论计算结果,并讨论了微波损耗机理.
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关键词
Al掺杂SiC
第一性原理
能带结构
介电性能
原文传递
燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能
2
作者
李智敏
黄云霞
+3 位作者
卫晓黑
张茂林
周万城
郝跃
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第S1期154-156,共3页
采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量...
采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2~12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。
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关键词
Β-SIC
N掺杂
燃烧合成
介电性能
原文传递
题名
掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能
被引量:
7
1
作者
李智敏
施建章
卫晓黑
李培咸
黄云霞
李桂芳
郝跃
机构
西安电子科技大学技术物理学院
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第23期410-415,共6页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(批准号:K5051205006
K5051105006)资助的课题~~
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数.结果表明:Al掺杂后,Fermi能级进入价带,带隙宽度略为加宽,在8.2—12.4 GHz范围内介电常数大幅度增大.利用燃烧合成法制备了Al掺杂的3C-SiC粉体吸收剂,通过矢量网络分析仪测试了样品在8.2—12.4 GHz范围内的微波介电常数,验证了理论计算结果,并讨论了微波损耗机理.
关键词
Al掺杂SiC
第一性原理
能带结构
介电性能
Keywords
Al-doped SiC, first principles, band structure, dielectric property
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
原文传递
题名
燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能
2
作者
李智敏
黄云霞
卫晓黑
张茂林
周万城
郝跃
机构
西安电子科技大学技术物理学院
西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件重点实验室
西北工业大学 凝固技术国家重点实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第S1期154-156,共3页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051205006
K5051205010)
文摘
采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2~12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。
关键词
Β-SIC
N掺杂
燃烧合成
介电性能
Keywords
β-SiC
N doping
combustion synthesis
dielectric properties
分类号
TB383.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能
李智敏
施建章
卫晓黑
李培咸
黄云霞
李桂芳
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
7
原文传递
2
燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能
李智敏
黄云霞
卫晓黑
张茂林
周万城
郝跃
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
原文传递
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