纤锌矿In-xGa_(1-x)N/GaN量子阱中的界面声子模

采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子,得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论。结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系。

耦合GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点的非线性光学性质

在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究。计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小。量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象。

Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质

用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 .

内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应,研究了GaN/AlGaN单量子点发光性质随量子点结构参数(量子点高度L和量子点半径R)的变化。结果表明:内建电场对GaN/AlGaN单量子点的发光波长和激子基态振子强度等发光性质有重要的影响;量子点高度的变化对量子点发光性质的影响要比量子点半径的变化对量子点发光性质的影响更明显。

耦合GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子特性

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究。给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子空穴复合率和量子点高度LGaN以及势垒层厚度LAlGaN之间的函数关系。结果表明,量子点高度LGaN、势垒层厚度LAlGaN的增加将导致激子结合能、电子空穴复合率的降低,耦合量子点发光波长的增加。

III-V稀磁半导体研究进展

低温分子束外延技术的应用 ,使高浓度掺杂的III -V族稀磁半导体得以成功制备 ,与现代半导体器件兼容 .本文概要地回顾了磁性半导体的发展历史 ,介绍了目前的实验 。

GaN/AlN量子阱中的准受限声子

采用基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子,得出了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子的本征模解、色散关系;对GaN/AlN单量子阱和耦合量子阱中的准受限声子的色散关系进行了数值计算和讨论。实验发现在阱内的受限行为导致了波矢qz,j的量子化,并且准受限声子的色散随量子阶数m的减小而增强,由色散曲线组成的带随m的增加而变窄。

稀磁半导体(Ga_(1-x)Fe_x)As的磁性及稳定性(英文)

运用第一性原理下的 L MTO- ASA方法研究稀磁半导体 (Ga1 - x Fex) As(x=1,1/ 2 ,1/ 4和 1/ 8)的电子结构、磁性及其稳定性 .计算了 Fe掺杂浓度的变化对 (Ga1 - x Fex) As的磁性及稳定性的影响 .

半导体球形异质结中界面光学声子及电声相互作用

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色散关系和电子与界面光学声子相互作用的哈密顿.对5层球形异质结CdS/HgS/CdS/HgS/H2O中的界面声子的色散关系和电声相互作用的耦合强度进行了数值计算,结果发现在5层球形异质结中,存在着7支光学界面声子,但仅有一支界面声子对电声相互作用的耦合强度具有重要的影响.

纤锌矿GaN/ZnO量子阱中的界面声子

根据介电连续模型和单轴晶体模型,运用传递矩阵的方法研究了纤锌矿量子阱中的界面声子,并且计算和讨论了纤锌矿GaN/ZnO单量子阱和耦合量子阱中的界面声子的色散关系。计算结果表明纤锌矿晶体的各向异性对界面声子模有大的影响:界面声子模出现在两个能量区域中,分别是:[ω⊥,TZnO,ωz,TGaN]和[ω⊥,LZnO,ωz,LGaN];界面声子随波数q⊥的减小色散越发明显、随波数q⊥增大分别趋近于54.32meV和86.56meV两个定值;当波数q⊥值非常小时,出现界面声子的色散消失现象,消失部分将穿越界面声子的能量区域转化为准受限声子或半空间声子。

Mn在Si(100)表面化学吸附电子结构的研究

用TB—LMTO方法研究单层Mn原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Mn原子在不同位置的吸附能 .结果表明 ,Mn原子在C位 (四重位 )吸附最稳定 ,在Mn/Si(10 0 )界面存在Mn、Si混合层 .

耦合ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子点中的激子态和带间光跃迁

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。

掺杂浓度对稀磁性半导体(Ga,Fe)As的晶格常数及磁性质的影响

运用第一性原理下的LMTO ASA方法计算了稀磁半导体Ga1-xFexAs(x=1,1/4,1/8)在不同磁状态下的总能量,由能量最低原理我们得到其相应的晶格常数及磁状态.

Au钝化Si(100)表面的电子特性

用TB -LMTO方法研究单层的Au原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附。计算了Au原子在不同位置的吸附能 ,吸附体系与清洁Si(10 0 )表面的层投影态密度 ,以及电子转移情况。结果表明 ,Au原子在吸附面上方的A位 (顶位 )吸附最稳定 ,Au钝化Si(10 0 )表面可以取得明显的钝化效果 ,这一结论与实验事实相符合。

CO在hcp(0001)和fcc(111)面上吸附的间接相互作用

本文采用格林函数方法,用单电子理论在紧束缚近似下研究了一氧化碳在过渡金属六角密排(0001)面和面心立方(111)面上吸附的间接相互作用。计算中采用复能积分方法避免了由于存在分裂态与共振态给计算带来的困难。计算得到一氧化碳在hcp(0001)面及fcc(111)面上的吸附结构。

覆盖度对化学吸附的影响

运用格林函数方法，在紧束缚近似下讨论了一氧化碳在具有面心立方结构金属（Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ）密排面上的化学吸附能随覆盖度θ的变化关系，并与实验值作了比较。