电子级多晶硅清洗过程管控要点

电子级多晶硅是集成电路产业链中重要的基础材料,是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料。电子级多晶硅表面金属杂质含量的高低对单晶拉制以及晶圆片的良率的高低有着密切的关系,因此,在生产过程中,通过表面清洗来控制电子级多晶硅后处理过程中带来的表面金属杂质含量,提升电子级多晶硅的质量,保证单晶拉制的成功率、晶圆片的良率。

电子级多晶硅金属杂质来源探讨

电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源,同时提出相应控制措施。

电子级多晶硅化学清洗表面氢氧终端性能研究

电子级多晶硅后处理工序的核心工艺是硅料化学清洗,目的是去除电子级多晶硅表面金属杂质,其清洗效果主要通过表金属检测来判定。此外,电子级多晶硅清洗后的表面形态检测也是评估清洗效果的常用方法。本文主要从电子级多晶硅清洗后表面呈现的氢终端与氧终端进行研究,测试了两种终端对其表面形态的影响,结果表明:以氢终端为主的电子级多晶硅表面粗糙度较大,而氧终端为主的电子级多晶硅表面吸附有机碳含量低于氢终端。