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Effect of surface modification on the radiation stability of diamond ohmic contacts
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作者 牟恋希 赵上熳 +7 位作者 王鹏 原晓芦 刘金龙 朱志甫 陈良贤 魏俊俊 欧阳晓平 李成明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期444-448,共5页
The ohmic contact interface between diamond and metal is essential for the application of diamond detectors.Surface modification can significantly affect the contact performance and eliminate the interface polarizatio... The ohmic contact interface between diamond and metal is essential for the application of diamond detectors.Surface modification can significantly affect the contact performance and eliminate the interface polarization effect.However,the radiation stability of a diamond detector is also sensitive to surface modification.In this work,the influence of surface modification technology on a diamond ohmic contact under high-energy radiation was investigated.Before radiation,the specific contact resistivities(ρc)between Ti/Pt/Au-hydrogen-terminated diamond(H-diamond)and Ti/Pt/Au-oxygenterminated diamond(O-diamond)were 2.0×10^(-4)W·cm^(2) and 4.3×10^(-3)Wcm^(2),respectively.After 10 MeV electron radiation,the ρc of Ti/Pt/Au H-diamond and Ti/Pt/Au O-diamond were 5.3×10^(-3)W·cm^(2)and 9.1×10^(-3)W·cm^(2),respectively.The rates of change of ρc of H-diamond and O-diamond after radiation were 2550%and 112%,respectively.The electron radiation promotes bond reconstruction of the diamond surface,resulting in an increase in ρc. 展开更多
关键词 single crystal diamond ohmic contact surface modification electron radiation
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金刚石基MOSFETs的最新进展
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作者 原晓芦 《金属世界》 2020年第1期19-20,共2页
随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年来,金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们的极大关注。金刚石... 随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年来,金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们的极大关注。金刚石具有能带间隙宽、导热系数高和载流子迁移率高等优良电学特性,在高温高压高频高功率电子器件应用领域前景广阔。然而,金刚石基电子器件从材料制备到器件应用这一过程的实现还存在诸多挑战,比如大尺寸金刚石晶圆的制备、高质量金刚石外延材料的生长及金刚石掺杂技术的完善等。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 功率电子器件 集成电路工艺 载流子迁移率 短沟道效应 击穿电压 工艺节点 外延材料
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金刚石衬底原位生长石墨烯的复合结构热输运 被引量:1
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作者 李峰诚 原晓芦 +3 位作者 邱琳 刘金龙 冯妍卉 张欣欣 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期2642-2648,共7页
石墨烯作为一种具有超高导热性能的二维纳米材料,不断引起人们的关注。实际应用中,石墨烯需附着在一定的衬底材料上,从而导致界面处强烈的声子散射和热导率的显著降低。为解决此类问题,本文采用一种原位催化生长技术制备出了金刚石/石... 石墨烯作为一种具有超高导热性能的二维纳米材料,不断引起人们的关注。实际应用中,石墨烯需附着在一定的衬底材料上,从而导致界面处强烈的声子散射和热导率的显著降低。为解决此类问题,本文采用一种原位催化生长技术制备出了金刚石/石墨烯复合材料。与转移到SiO_(2)/Si衬底的结构相比,在金刚石上生长得到的复合结构热导率被明显提高(约793 W·m^(-1)·K^(-1)),且石墨烯与金刚石衬底的界面热阻小于4.85×10^(-5)m^(2)·K·W^(-1)。这源于金刚石衬底为石墨烯提供了可观的热学贡献,而原位键合的生长让界面中产生有别于非键相互作用的杂化结构,使得界面热阻被降低。该结构优异的传热性能为石墨烯复合材料提供了一种新的方案。 展开更多
关键词 石墨烯 金刚石 原位催化生长技术 热导率 界面热阻
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