氢气保护FZ硅掺镓研究

掺镓硅(Si∶Ga)单晶是制作8～14μm波段红外焦平面阵列光电导探测器的优良材料,它可实现探测器阵列与信号处理电子线路的集成化。真空FZ硅掺镓试验表明,镓在区熔过程中一边发生分凝,一边向外蒸发。采用高纯氢气(略大于latm,纯度99.9999％)作保护气氛后镓的蒸发被抑制,硅中镶浓度已达1.8×10^(16)atom/cm^3,且纵向均匀性大为改善。新的掺镓方法避免了对超高纯硅棒可能引入的沾污,保证了单品质量。