磁控溅射碳化硅薄膜生长的热力学讨论(英文)

提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－ C3N4,P－ C3N4 或 － (C2N2)n－的最可能表面反应 ,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型 薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果很好地符合。