“点籽晶”法快速生长中等口径KDP单晶及其性能表征

本文使用德国MERCK公司生产的KDP原料和自行研制的晶体快速生长装置,采用"点籽晶"快速生长法成功生长出了150mm级中等口径的KDP单晶,晶体生长速度达到20mm/d。晶体生长过程中,生长溶液稳定,没有杂晶出现,生长的晶体完好且透明。X射线粉末衍射和摇摆曲线分析表明晶体有着较好的结构完整性;同时,测试了晶体的透过光谱和光损伤阈值,发现快速生长的晶体有着较好的光学性能。

军队院校开放型基础实验教学模式的探索与实践

分析了物理实验中心实施全方位开放教学的条件和原则，将实验中心的开放分为3个层次，即基础训练层次、创新教学层次和设计研究型层次，给出了各层次教学的具体形式和要求，并具体说明了前2个层次实验考核的基本方式。

倍频激光分离膜的损伤特性研究

从激光分离膜的热损伤原理出发，建立了1064nm波长激光分离膜的损伤方程，并给出了损伤阈值的求解过程，在理论上分析了1064nm波长激光对SiO2薄膜材料的损伤特性；文中运用仿真方法得出激光照射过陧中薄膜内温度场随杂质位置不同的分布曲线。

不同原料DKDP晶体的生长和损伤阈值

采用传统降温法,利用不同原料从氘化程度为85%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并选取部分样品进行三倍频光损伤阈值测试。实验结果表明:不同纯度原料对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长溶液稳定性的影响效果相反,即由于原料中杂质金属离子含量的差别,高纯原料生长的晶体较一般原料生长的晶体损伤阈值可提高1.5倍,但其生长溶液的稳定性比一般原料低。

原料对DKDP晶体生长习性及光学性能的影响

通过传统降温法,利用不同原料从氘化程度为85%的溶液中生长DKDP晶体并对加工样品进行了相关测试。研究了不同原料对DKDP晶体的生长和光学性能的影响。实验表明:采用高纯原料所得DKDP晶体的光学性能提高,但其晶体生长容易出现外扩现象。

不同籽晶DKDP晶体生长和光学性能研究

籽晶是影响DKDP晶体生长和光学性能的一个重要因素。通过传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液中生长DKDP晶体并对加工样品进行了相关测试。研究了不同籽晶对DKDP晶体的生长和光学性能的影响。实验表明,[101]晶片籽晶所得DKDP晶体能有效缩短生长周期,晶体损伤阈值提高明显,但光学均匀性和透过性能有所下降。

不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值

生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。

锥头籽晶对DKDP晶体生长和损伤阈值的影响

籽晶是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。采用传统降温法,分别利用Z片和锥头作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分样品进行3倍频光损伤阈值测试。实验证明,DKDP晶体可以在不同籽晶下基本实现稳定生长,锥头籽晶所得DKDP晶体对晶体损伤阈值提高有积极作用且能有效缩短生长周期。

相控阵雷达铁氧体移相器设计

铁氧体移相器在相控阵雷达中得到了广泛应用。主要分析了设计铁氧体移相器时需考虑的指标和设计方法,主要内容包括峰值功率和平均功率、饱和磁化强度、剩磁比、插损、工作频率范围、温度特性、横截面尺寸、陶瓷材料、相移误差和驱动功率等,并对指标之间的相互影响进行了分析。

异型籽晶DKDP晶体的激光损伤

籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分II类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验。结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期。