超薄铝/碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备蓝色磷光反转底发光有机发光二极管

在氧化铟锡(ITO)阴极上依次蒸镀2 nm铝和2 nm碳酸锂(Li2CO3)薄膜作为电子注入层,成功制备出器件结构为ITO/Al/Li2CO3/SPPO13/SPPO13∶FIrpic/TCTA/MoO3/Al(SPPO13:2,7-双(二苯基磷)-9,9'-螺二[芴];FIrpic:双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱;TCTA:4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)的蓝色磷光反转底发光有机发光二极管(IBOLED)。结果表明,Al/Li2CO3作为电子注入层可以有效降低ITO与有机材料之间的电子注入势垒,蓝色磷光IBOLED的起亮电压由11 V降至4.2 V,器件的发光效率也得到有效提高。蓝光磷光IBOLED的最大电流效率与功率效率分别达到了28.2 cd/A和19.6 lm/W,制备出的反转结构器件性能可与传统正置结构比美,说明Al/Li2CO3可以作为反转有机发光二极管优良的电子注入层。

反转结构有机发光二极管的电子注入层研究

将薄层金属Al和含磷氧基团的有机材料DPSF依次蒸镀在ITO阴极上作为电子注入层,成功制备了具有反转结构的底发光有机发光二极管(IBOLED)。结果表明,Al/DPSF作为电子注入层可以有效降低ITO与发光层Alq3之间的注入势垒,大大降低了器件的工作电压,显著提高了器件的发光效率。反转器件的最大电流效率达到了4.9 cd A-1,最大亮度为17000 cd m-2,与正置器件的发光性能相当。

用于绿色热激活延迟荧光OLED的简单多咔啉取代化合物

本文通过无需催化剂的亲核取代反应获得了一种具有高度扭曲结构的多咔啉热激活延迟荧光(TADF)材料2,3,5,6-四(9H-吡啶并[2,3-b]吲哚-9-基)对苯二甲腈(4CbTPN)。该化合物在溶液和薄膜状态下的光致发光曲线的峰值分别在493和501nm处。较小的ΔEST,适度的光致发光量子产率(PLQY)和快速的反向隙间窜越速率(kRISC)实现了优秀的器件性能。基于26DCzppy主体的绿光TADF器件,可实现32.6 cd A^-1的电流效率(CE),25.6 lm W^-1的功率效率(PE)和12.9%的外量子效率(EQE),比之前报道基于4CzTPN的器件要高得多。这项研究表明,N-杂原子修饰可能会极大地影响能级分布和器件性能。